Рисунки к Большой Советской Энциклопедии.

Большая Советская Энциклопедия. Статьи для написания рефератов, курсовых работ, научные статьи, биографии, очерки, аннотации, описания.

Микеланджело Буонарроти
Микеланджело Буонарроти. Микеланджело Буонарроти.
Микеланджело Буонарроти.

Микеланджело Буонарроти
Микеланджело. Фасад Палаццо Фарнезе в Риме. После 1546. Микеланджело Буонарроти.
Микеланджело. Фасад Палаццо Фарнезе в Риме. После 1546.

Микеланджело Буонарроти
Микеланджело. «Сотворение Адама» (фрагмент). Фреска в Сикстинской капелле в Ватикане. 1508—12. Микеланджело Буонарроти.
Микеланджело. «Сотворение Адама» (фрагмент). Фреска в Сикстинской капелле в Ватикане. 1508—12.

Микеланджело Буонарроти
Микеланджело. «Пророк Иеремия». Фреска плафона Сикстинской капеллы Ватикана (1508—12). Микеланджело Буонарроти.
Микеланджело. «Пророк Иеремия». Фреска плафона Сикстинской капеллы Ватикана (1508—12).

Микеланджело Буонарроти
Микеланджело. Площадь Капитолия в Риме. Начата в 1546. План. Микеланджело Буонарроти.
Микеланджело. Площадь Капитолия в Риме. Начата в 1546. План.

Микеланджело Буонарроти
Микеланджело. Этюд к картону «Битва при Кашине». Рисунок итальянским карандашом. Ок. 1504. Галерея Альбертина. Вена. Микеланджело Буонарроти.
Микеланджело. Этюд к картону «Битва при Кашине». Рисунок итальянским карандашом. Ок. 1504. Галерея Альбертина. Вена.

Микеланджело Буонарроти
Микеланджело. «Оплакивание Христа». Мрамор. До 1550—55. Собор Санта-Мария дель Фьоре во Флоренции. Микеланджело Буонарроти.
Микеланджело. «Оплакивание Христа». Мрамор. До 1550—55. Собор Санта-Мария дель Фьоре во Флоренции.

Микеланджело Буонарроти
«Пьета Ронданини». Мрамор. 1555—64. Музей старинного искусства. Милан. Фрагмент. Микеланджело Буонарроти.
«Пьета Ронданини». Мрамор. 1555—64. Музей старинного искусства. Милан. Фрагмент.

Микеланджело Буонарроти
«Мадонна у лестницы». Мрамор. Около 1490—92. Каса Буонарроти. Флоренция. Микеланджело Буонарроти.
«Мадонна у лестницы». Мрамор. Около 1490—92. Каса Буонарроти. Флоренция.

Микелоццо ди Бартоломмео
Микелоццо. Вилла Медичи в Кареджи близ Флоренции. Перестройка 1459. Микелоццо ди Бартоломмео.
Микелоццо. Вилла Медичи в Кареджи близ Флоренции. Перестройка 1459.

Микелоццо ди Бартоломмео
Микелоццо. Дворец Медичи-Риккарди во Флоренции. 1444—60. Внутренний двор. Микелоццо ди Бартоломмео.
Микелоццо. Дворец Медичи-Риккарди во Флоренции. 1444—60. Внутренний двор.

Микелоццо ди Бартоломмео
Микелоццо. Дворец Медичи-Риккарди во Флоренции. Италия. 1444—60. Микелоццо ди Бартоломмео.
Микелоццо. Дворец Медичи-Риккарди во Флоренции. Италия. 1444—60.

Микелуччи Джованни
Дж. Микелуччи. Церковь Сан-Джованни на Виа дель Соль близ Флоренции. 1964. Микелуччи Джованни.
Дж. Микелуччи. Церковь Сан-Джованни на Виа дель Соль близ Флоренции. 1964.

Микенас Юозас Йокубо
Ю. Микенас. Микенас Юозас Йокубо.
Ю. Микенас.

Микенас Юозас Йокубо
«Мир». Гипс. 1960. Галерея витража и скульптуры. Каунас. Микенас Юозас Йокубо.
«Мир». Гипс. 1960. Галерея витража и скульптуры. Каунас.

Микенас Юозас Йокубо
«Юная пианистка». Бронза. 1958. Третьяковская галерея. Москва. Микенас Юозас Йокубо.
«Юная пианистка». Бронза. 1958. Третьяковская галерея. Москва.

Микенас Юозас Йокубо
«Литва». Статуя для павильона Литвы на Всемирной выставке в Нью-Йорке. Гипс. 1939. Местонахождение неизвестно. Микенас Юозас Йокубо.
«Литва». Статуя для павильона Литвы на Всемирной выставке в Нью-Йорке. Гипс. 1939. Местонахождение неизвестно.

Микены
Микены. Царские погребения на акрополе. 16 в. до н. э. Вид с северо-востока. Микены.
Микены. Царские погребения на акрополе. 16 в. до н. э. Вид с северо-востока.

Микешин Михаил Осипович
Площадь Богдана Хмельницкого. Слева — памятник Богдану Хмельницкому (бронза, гранит, 1869—88, скульптор Микешин Михаил Осипович О. Микешин); справа — колокольня Софийского монастыря (17—19 вв.). Микешин Михаил Осипович.
Площадь Богдана Хмельницкого. Слева — памятник Богдану Хмельницкому (бронза, гранит, 1869—88, скульптор Микешин Михаил Осипович О. Микешин); справа — колокольня Софийского монастыря (17—19 вв.).

Микижа
Микижа, жилая форма. Микижа.
Микижа, жилая форма.

Микитенко Иван Кондратьевич
И. К. Микитенко. Микитенко Иван Кондратьевич.
И. К. Микитенко.

Микко Лепо Ягович
Л. Микко. «Перед снегом». 1962. Художественный музей Эстонской ССР. Таллин. Микко Лепо Ягович.
Л. Микко. «Перед снегом». 1962. Художественный музей Эстонской ССР. Таллин.

Миклухо-Маклай Николай Николаевич
Н. Н. Миклухо-Маклай. Миклухо-Маклай Николай Николаевич.
Н. Н. Миклухо-Маклай.

Миколайтис-Путинас Винцас Юозович
В. Миколайтис-Путинас. Миколайтис-Путинас Винцас Юозович.
В. Миколайтис-Путинас.

Микоплазмы
Микоплазмы. Колония Микоплазмы hominis на плотной питательной среде. Микоплазмы.
Микоплазмы. Колония Микоплазмы hominis на плотной питательной среде.

Микоплазмы
Микоплазмы. Электронная микрофотография Микоплазмы mycoides (выращена в жидкой питательной среде). Микоплазмы.
Микоплазмы. Электронная микрофотография Микоплазмы mycoides (выращена в жидкой питательной среде).

Микориза
Внешний вид эктотрофной микоризы дуба. Микориза.
Внешний вид эктотрофной микоризы дуба.

Микориза
Поперечный разрез эндотрофной микоризы клёна: 1 — эпидермис; 2 — кора; 3 — эндодерма; 4 — клубки гиф гриба. Микориза.
Поперечный разрез эндотрофной микоризы клёна: 1 — эпидермис; 2 — кора; 3 — эндодерма; 4 — клубки гиф гриба.

Микоян Анастас Иванович
Ан. И. Микоян. Микоян Анастас Иванович.
Ан. И. Микоян.

Микоян Артем Иванович
Ар. И. Микоян. Микоян Артем Иванович.
Ар. И. Микоян.

Микробарограф
Рис. к ст. Микробарограф. Микробарограф.
Рис. к ст. Микробарограф.

Микроворсинки
Щёточная каёмка эпителия тонкой кишки обезьяны: равномерное распределение микроворсинок (электронная микрофотограмма ). Микроворсинки.
Щёточная каёмка эпителия тонкой кишки обезьяны: равномерное распределение микроворсинок (электронная микрофотограмма ).

Микроинтерферометр
Рис. к ст. Микроинтерферометр. Микроинтерферометр.
Рис. к ст. Микроинтерферометр.

Микрокатор
Рис. 1. Схема механизма микрокатора: 1 — пружина; 2 — стрелка; 3 — узел крепления стрелки; 4 — демпфирующий рычаг; 5 — измерительный стержень. Микрокатор.
Рис. 1. Схема механизма микрокатора: 1 — пружина; 2 — стрелка; 3 — узел крепления стрелки; 4 — демпфирующий рычаг; 5 — измерительный стержень.

Микрокатор
Рис. 2. Микрокатор: 1 — присоединительный цилиндр; 2 — шкала; 3 — указатель поля допуска; 4 — стрелка; 5 — винт смещения шкалы для установки на нуль; 6 — тросик арретирующего устройства; 7 — арретир; 8 — наконечник. Микрокатор.
Рис. 2. Микрокатор: 1 — присоединительный цилиндр; 2 — шкала; 3 — указатель поля допуска; 4 — стрелка; 5 — винт смещения шкалы для установки на нуль; 6 — тросик арретирующего устройства; 7 — арретир; 8 — наконечник.

Микроманипулятор
Микроманипулятор, смонтированный вместе с микроскопом: 1 — штатив с системой винтов, передвигающих микроинструменты в различных направлениях; 2 — держатель инструментов; 3 — камера с исследуемым объектом. Микроманипулятор.
Микроманипулятор, смонтированный вместе с микроскопом: 1 — штатив с системой винтов, передвигающих микроинструменты в различных направлениях; 2 — держатель инструментов; 3 — камера с исследуемым объектом.

Микрометр
Рис. 1. Гладкий микрометр МГ с пределом измерения 75—100 мм; 1 — скоба; 2 — пятка; 3 — микрометрический винт; 4 — стопор; 5 — стебель; 6 — барабан; 7 — трещотка. Микрометр.
Рис. 1. Гладкий микрометр МГ с пределом измерения 75—100 мм; 1 — скоба; 2 — пятка; 3 — микрометрический винт; 4 — стопор; 5 — стебель; 6 — барабан; 7 — трещотка.

Микрометр
Рис. 2. Настольный микрометр со стрелочным отсчётным устройством: 1 — корпус; 2 — арретир; 3 — отсчётное устройство; 4 — измерительный стержень отсчётного устройства; 5 — измерительные наконечники; 6 — столик; 7 — измерительный стержень микрометрической головки; 8 — стебель; 9 — барабан; 10 — стопор. Микрометр.
Рис. 2. Настольный микрометр со стрелочным отсчётным устройством: 1 — корпус; 2 — арретир; 3 — отсчётное устройство; 4 — измерительный стержень отсчётного устройства; 5 — измерительные наконечники; 6 — столик; 7 — измерительный стержень микрометрической головки; 8 — стебель; 9 — барабан; 10 — стопор.

Микромодуль
Рис. 1а. Этажерочный микромодуль — тригер до герметизации (1, 2, 3, 4 — микроэлементы — платы соответственно с резистором, транзистором, полупроводниковыми диодами, конденсатором, 5 — выводы — проводники, соединяющие микроэлементы). Микромодуль.
Рис. 1а. Этажерочный микромодуль — тригер до герметизации (1, 2, 3, 4 — микроэлементы — платы соответственно с резистором, транзистором, полупроводниковыми диодами, конденсатором, 5 — выводы — проводники, соединяющие микроэлементы).

Микромодуль
Рис. 1б. Этажерочный микромодуль — тригер после герметизации (готовое изделие) (1 — «этажерка» из микроэлементов, залитая компаундом, 2 — диэлектрическая насадка, предохраняющая выводы от повреждения до установки микромодуля на печатную плату, 3 — выводы). Микромодуль.
Рис. 1б. Этажерочный микромодуль — тригер после герметизации (готовое изделие) (1 — «этажерка» из микроэлементов, залитая компаундом, 2 — диэлектрическая насадка, предохраняющая выводы от повреждения до установки микромодуля на печатную плату, 3 — выводы).

Микромодуль
Рис. 2б. Плоский микромодуль — усилитель звуковых частот после герметизации (готовое изделие) (1 — металлический кожух, 2 — выводы). Микромодуль.
Рис. 2б. Плоский микромодуль — усилитель звуковых частот после герметизации (готовое изделие) (1 — металлический кожух, 2 — выводы).

Микромодуль
Рис. 2а. Плоский микромодуль — усилитель звуковых частот до герметизации (1 — конденсатор, 2 — транзистор, 3 — резистор, 4 — печатная плата, 5 — выводы). Микромодуль.
Рис. 2а. Плоский микромодуль — усилитель звуковых частот до герметизации (1 — конденсатор, 2 — транзистор, 3 — резистор, 4 — печатная плата, 5 — выводы).

Микропроекция
Принципиальная схема образования изображения при микропроекции. Микропроекция.
Принципиальная схема образования изображения при микропроекции.

Микрорайон
Вильнюс. Жилой район Жирмунай. Микрорайон № 18. 1968. Архитекторы Б. Б. Кас перавичене, Б. Л. Круминис, инженеры В. В. Зубрус, Ш. И. Любецкис. План: 1 — пятиэтажные дома; 2 — девятиэтажные дома; 3 — блоки первичного обслуживания 4 — детские сады-ясли; 5 — магазины; 6 — школа; 7 — общественно-торговый центр микрорайона. (Пунктиром обозначен берег р. Нярис.) Микрорайон.
Вильнюс. Жилой район Жирмунай. Микрорайон № 18. 1968. Архитекторы Б. Б. Кас перавичене, Б. Л. Круминис, инженеры В. В. Зубрус, Ш. И. Любецкис. План: 1 — пятиэтажные дома; 2 — девятиэтажные дома; 3 — блоки первичного обслуживания 4 — детские сады-ясли; 5 — магазины; 6 — школа; 7 — общественно-торговый центр микрорайона. (Пунктиром обозначен берег р. Нярис.)

Микроракетный двигатель
Микроракетный жидкостный двигатель тягой 2—450 мн, работающий на метане и кислороде; предназначен для системы ориентации космических летательных аппаратов (США). Микроракетный двигатель.
Микроракетный жидкостный двигатель тягой 2—450 мн, работающий на метане и кислороде; предназначен для системы ориентации космических летательных аппаратов (США).

Микроскоп (оптич. прибор)
Рис. 1 к ст. Микроскоп. Микроскоп (оптич. прибор).
Рис. 1 к ст. Микроскоп.

Микроскоп (оптич. прибор)
Рис. 2. Распределение освещённостей в изображении двух близких «точек» в предельном случае их визуального разрешения. Микроскоп (оптич. прибор).
Рис. 2. Распределение освещённостей в изображении двух близких «точек» в предельном случае их визуального разрешения.

Микроскоп (оптич. прибор)
Рис. 3 к ст. Микроскоп. Микроскоп (оптич. прибор).
Рис. 3 к ст. Микроскоп.

Микроскоп (оптич. прибор)
Рис. 4 к ст. Микроскоп. Микроскоп (оптич. прибор).
Рис. 4 к ст. Микроскоп.

Микроскоп (оптич. прибор)
Рис. 5 к ст. Микроскоп. Микроскоп (оптич. прибор).
Рис. 5 к ст. Микроскоп.

Микроскоп (оптич. прибор)
Рис. 6 к ст. Микроскоп. Микроскоп (оптич. прибор).
Рис. 6 к ст. Микроскоп.

Микроскоп (оптич. прибор)
Рис. 7. Микрофотография эритроцита человека в монохроматическом свете с <span style='font-family:Symbol;layout-grid-mode:line'>l</span> = 0,546 мкм. Изгиб интерференционной полосы воспроизводит в масштабе толщину эритроцита. Микроскоп (оптич. прибор).
Рис. 7. Микрофотография эритроцита человека в монохроматическом свете с l = 0,546 мкм. Изгиб интерференционной полосы воспроизводит в масштабе толщину эритроцита.

Микроскоп (оптич. прибор)
Рис. 8. Принципиальная оптическая схема инвертированного микроскопа. Микроскоп (оптич. прибор).
Рис. 8. Принципиальная оптическая схема инвертированного микроскопа.

Микроскоп (оптич. прибор)
Рис. 9. Микрофотографии нетравленого шлифа металла, снятые металлографическим микроскопом: слева — в светлом поле; справа — с фазово-контрастным устройством. Микроскоп (оптич. прибор).
Рис. 9. Микрофотографии нетравленого шлифа металла, снятые металлографическим микроскопом: слева — в светлом поле; справа — с фазово-контрастным устройством.

Микроскоп (оптич. прибор)
Рис. 10. Принципиальная схема стереомикроскопа, обеспечивающего объёмное восприятие наблюдаемых объектов. Микроскоп (оптич. прибор).
Рис. 10. Принципиальная схема стереомикроскопа, обеспечивающего объёмное восприятие наблюдаемых объектов.

Микроскопическая техника
Рис. 1. Нагревательный столик на микроскопе. Микроскопическая техника.
Рис. 1. Нагревательный столик на микроскопе.

Микроскопическая техника
Рис. 2. Камера для культивирования клеток и прижизненных наблюдений за их ростом и развитием: 1 — камера в собранном виде; 2 — камера в разобранном виде: а — верхняя стальная пластина; б — резиновая прокладка; в — покровное стекло; г — средняя секция; д — нижняя стальная пластина; 3 — часть средней секции снизу: е — каналы; ж — резервуары. Микроскопическая техника.
Рис. 2. Камера для культивирования клеток и прижизненных наблюдений за их ростом и развитием: 1 — камера в собранном виде; 2 — камера в разобранном виде: а — верхняя стальная пластина; б — резиновая прокладка; в — покровное стекло; г — средняя секция; д — нижняя стальная пластина; 3 — часть средней секции снизу: е — каналы; ж — резервуары.

Микроспоридии
Жизненный цикл микроспоридий (схема); в центре — строение споры (в разрезе): 1 — выход спороплазмы; 2—9 — шизогония: 10 — диплокарион; 11—15 — автогамия; 16—19 спорогония; 20 — зрелая спора; 21 — полярная нить (видны её витки в разрезе); 22 — спороплазма с 2 ядрами. Микроспоридии.
Жизненный цикл микроспоридий (схема); в центре — строение споры (в разрезе): 1 — выход спороплазмы; 2—9 — шизогония: 10 — диплокарион; 11—15 — автогамия; 16—19 спорогония; 20 — зрелая спора; 21 — полярная нить (видны её витки в разрезе); 22 — спороплазма с 2 ядрами.

Микротом
Рис. 1. Санный микротом. Микротом.
Рис. 1. Санный микротом.

Микротом
Рис. 2. Микротом с неподвижным ножом. Микротом.
Рис. 2. Микротом с неподвижным ножом.

Микрофон
Рис. 1. Капсюль типа МК-10 угольного микрофона: а — внешний вид; б — схема устройства; 1 — мембрана; 2 — подвижный электрод; 3 — слюдяная шайба; 4 — перфорированная металлическая крышка; 5 — корпус; 6 — пластмассовое кольцо; 7 — шайба; 8 — угольный порошок; 9 — неподвижный электрод. Микрофон.
Рис. 1. Капсюль типа МК-10 угольного микрофона: а — внешний вид; б — схема устройства; 1 — мембрана; 2 — подвижный электрод; 3 — слюдяная шайба; 4 — перфорированная металлическая крышка; 5 — корпус; 6 — пластмассовое кольцо; 7 — шайба; 8 — угольный порошок; 9 — неподвижный электрод.

Микрофон
Рис. 2а. Электродинамический микрофон катушечного типа МД-56. Внешний вид. Микрофон.
Рис. 2а. Электродинамический микрофон катушечного типа МД-56. Внешний вид.

Микрофон
Рис. 2б. Электродинамический микрофон катушечного типа МД-56. Схема устройства: 1 — диафрагма; 2 — звуковая катушка; 3 — гофрированный воротник; 4 — магнитопровод; 5 — полюсный наконечник; 6 — магнит. Микрофон.
Рис. 2б. Электродинамический микрофон катушечного типа МД-56. Схема устройства: 1 — диафрагма; 2 — звуковая катушка; 3 — гофрированный воротник; 4 — магнитопровод; 5 — полюсный наконечник; 6 — магнит.

Микрофон
Рис. 3а. Конденсаторный микрофон типа 19A-4. Внешний вид. Микрофон.
Рис. 3а. Конденсаторный микрофон типа 19A-4. Внешний вид.

Микрофон
Рис. 3б. Конденсаторный микрофон типа 19A-4. Схема устройства; 1 — неподвижный электрод; 2 — мембрана. Микрофон.
Рис. 3б. Конденсаторный микрофон типа 19A-4. Схема устройства; 1 — неподвижный электрод; 2 — мембрана.

Микроэлектроника
Рис. 1б. Кремниевая пластина. Показан в увеличенном виде кристалл с отдельной структурой; его размеры 1,2<span style='font-family:Symbol;layout-grid-mode:line'>´</span>1,2 мм. 1 — соединительная токоведущая дорожка; 2 — диод; 3 — резистор; 4 — контактная площадка; 5 — транзистор. Микроэлектроника.
Рис. 1б. Кремниевая пластина. Показан в увеличенном виде кристалл с отдельной структурой; его размеры 1,2´1,2 мм. 1 — соединительная токоведущая дорожка; 2 — диод; 3 — резистор; 4 — контактная площадка; 5 — транзистор.

Микроэлектроника
Рис. 1а. Кремниевая пластина диаметром 60 мм с изготовленными на ней ~2000 одинаковых структур интегральных схем: дефектные структуры на пластине помечены краской (точки и штрихи). Микроэлектроника.
Рис. 1а. Кремниевая пластина диаметром 60 мм с изготовленными на ней ~2000 одинаковых структур интегральных схем: дефектные структуры на пластине помечены краской (точки и штрихи).

Микроэлектроника
Рис. 2. Последовательность основных технологических операций одного из способов изготовления полупроводниковых ИС: А — подготовка (шлифовка, полировка) пластины кремния с проводимостью n-типа; Б — окисление кремния в атмосфере сухого кислорода; В — фотолитография (фотогравировка слоя окисла кремния, вскрытие «окон» в нём); Г — диффузия сурьмы или мышьяка через «окна» в окисле для получения высокопроводящей области «скрытого» слоя кремния n-типа (1) под коллектором будущего транзистора и базой диода; Д — эпитаксиальное наращивание кремния — нанесение слоя кремния n-типа (2): Е — изолирующая диффузия для получения взаимной электрической изоляции будущих элементов интегральной схемы (ей предшествует окисление эпитаксиального слоя и селективное удаление окисной плёнки с помощью фотолитографии) — диффузия бора, в результате которой эпитаксиальный слой разделяется на отдельные островки кремния n-типа (3), окруженные кремнием р-типа; Ж, З — формирование элементов интегральной схемы в изолированных областях кремния последовательным проведением ещё двух диффузий примесей через вскрываемые с помощью фотолитографии «окна» в дополнительно нанесённой окисной плёнке кремния [вторая диффузия — диффузия бора — производится для создания базовых областей (4) транзисторов, p-n-переходов и областей резисторов, при третьей диффузии — диффузии фосфора — формируются эмиттерные области транзисторов (5)]; И — вскрытие «окон» в окисле кремния под контакты с областями коллектора, эмиттера и базы транзисторов, ри nобластями диодов и с резисторами; К — создание внутрисхемных соединений посредством вакуумного напыления на поверхность пластины плёнки алюминия, которая затем селективно травится с помощью фотолитографии; сохранённые участки алюминия (6) образуют электроды элементов, соединительные дорожки и контактные площадки для подсоединения структуры интегральной схемы к выводам корпуса. Микроэлектроника.
Рис. 2. Последовательность основных технологических операций одного из способов изготовления полупроводниковых ИС: А — подготовка (шлифовка, полировка) пластины кремния с проводимостью n-типа; Б — окисление кремния в атмосфере сухого кислорода; В — фотолитография (фотогравировка слоя окисла кремния, вскрытие «окон» в нём); Г — диффузия сурьмы или мышьяка через «окна» в окисле для получения высокопроводящей области «скрытого» слоя кремния n-типа (1) под коллектором будущего транзистора и базой диода; Д — эпитаксиальное наращивание кремния — нанесение слоя кремния n-типа (2): Е — изолирующая диффузия для получения взаимной электрической изоляции будущих элементов интегральной схемы (ей предшествует окисление эпитаксиального слоя и селективное удаление окисной плёнки с помощью фотолитографии) — диффузия бора, в результате которой эпитаксиальный слой разделяется на отдельные островки кремния n-типа (3), окруженные кремнием р-типа; Ж, З — формирование элементов интегральной схемы в изолированных областях кремния последовательным проведением ещё двух диффузий примесей через вскрываемые с помощью фотолитографии «окна» в дополнительно нанесённой окисной плёнке кремния [вторая диффузия — диффузия бора — производится для создания базовых областей (4) транзисторов, p-n-переходов и областей резисторов, при третьей диффузии — диффузии фосфора — формируются эмиттерные области транзисторов (5)]; И — вскрытие «окон» в окисле кремния под контакты с областями коллектора, эмиттера и базы транзисторов, ри nобластями диодов и с резисторами; К — создание внутрисхемных соединений посредством вакуумного напыления на поверхность пластины плёнки алюминия, которая затем селективно травится с помощью фотолитографии; сохранённые участки алюминия (6) образуют электроды элементов, соединительные дорожки и контактные площадки для подсоединения структуры интегральной схемы к выводам корпуса.

Микроэлектроника
Рис. 3. Гибридная интегральная схема со снятой крышкой корпуса (2 идентичных операционных усилителя с 33 компонентами в каждом). На основании корпуса размещена керамическая подложка размером 29<span style='font-family:Symbol;layout-grid-mode:line'>´</span>39 мм с выполненными на ней тонкоплёночными резисторами (1) и соединительными токоведущими дорожками (2); к контактным площадкам (3) плёночной интегральной схемы подсоединены навесные элементы — бескорпусные транзисторы (4), конденсаторы (5); внешние контактные площадки (6) интегральной схемы соединены с выводами корпуса (7). Микроэлектроника.
Рис. 3. Гибридная интегральная схема со снятой крышкой корпуса (2 идентичных операционных усилителя с 33 компонентами в каждом). На основании корпуса размещена керамическая подложка размером 29´39 мм с выполненными на ней тонкоплёночными резисторами (1) и соединительными токоведущими дорожками (2); к контактным площадкам (3) плёночной интегральной схемы подсоединены навесные элементы — бескорпусные транзисторы (4), конденсаторы (5); внешние контактные площадки (6) интегральной схемы соединены с выводами корпуса (7).

Микрургия
Пересадка ядер у амёб; момент проталкивания ядра сквозь соприкасающиеся поверхности обеих амёб. Микрургия.
Пересадка ядер у амёб; момент проталкивания ядра сквозь соприкасающиеся поверхности обеих амёб.

20440-20580
Так же Вы можете узнать о...