Рекристаллизация

Рис. 1. Структура, характерная для конца первичной рекристаллизации.
Рекристаллизация

Рис. 2. Структура после собирательной рекристаллизации.
Ректификация

Рис. 1. Схема тарелок с переливным устройством: а — колпачковая (1 — основание со слоем жидкости; 2 — патрубки для прохода пара; 3 — колпачки; 4, 5 — переливные устройства); б — из S-образных элементов (6); в — ситчатая.
Ректификация

Рис. 2. Различные типы насадок: 1 — кольца Рашига; 2 — спиральные кольца; 3 — кольца с перегородкой; 4 — кольца Паля.
Ректификация

Рис. 3. Схемы потоков ректификационных колонн: а — непрерывная ректификация; б — периодическая ректификация; 1 — укрепляющая секция; 2 — исчерпывающая секция; 3 — куб колонны; 4 — дефлегматор.
Релаксационные колебания

Рис. 1. Механическая релаксационная система.
Релаксационные колебания

Рис. 2. График изменений угла j поворота колодки со временем t.
Релаксационные колебания

Рис. 3. Электрическая релаксационная система.
Релаксационные колебания

Рис. 4. График изменения силы тока I со временем t в контуре с газоразрядной лампой.
Реле

Электромагнитное реле: 1 — сердечник; 2 — обмотка; 3 — ярмо; 4 — якорь; 5 — контакты; 6 — возвратная пружина.
Релейная защита

Рис. 1. Схема участка радиальной электрической сети с односторонним питанием, оснащенного относительно селективной релейной защитой, и соответствующие выдержки времени: А, Б, В, — сборные шины подстанций; В — выключатели; Г — источник питания; ТТ — трансформаторы тока; 1, 2 — устройства линейной защиты; К — точки короткого замыкания; t — выдержка времени; по оси абсцисс отложено расстояние вдоль линии.
Релейная защита

Рис. 2. Схема релейной защиты сети с двусторонним питанием; А, Б, В, Г — сборные шины подстанций; Г — источники питания; 1 — 6 — устройства релейной защиты; К — точка короткого замыкания.
Релейная характеристика

Релейные характеристики двухпозиционных (а, в) и трехпозиционных (б, г) релейных элементов.
Релейный элемент

Рис. 1. Классификация релейных элементов по виду физических явлений, используемых для их действия.
Релейный элемент

Рис. 2. Классификация релейных элементов по виду физических величин, на которые они реагируют.
Реликварий

Реликварий Трёх Волхвов. Бронза, драгоценные камни. Около 1200. Мастерская Николая Верденского. Собор. Кёльн.
Реликтовое излучение

Спектр реликтового излучения. Сплошная кривая — спектр излучения абсолютно черного тела с температурой 2,7 К.
Рельеф (скульпт.)

Л. Гиберти. «Жертвоприношение Авраама». Рельеф для северных дверей баптистерия во Флоренции. Бронза. 1401—02. Национальный музей. Флоренция.
Рельеф функции

Рельеф функции sin z.
Рельсовая цепь

Схема рельсовой цепи: Ic — сигнальный ток; ПБ — путевая батарея; ПР — путевое реле; ИС — изолирующий стык.
Рельсосварочная машина

Передвижная рельсосварочная машина с П-образной рамой.
Рельсы

Профиль стандартного железнодорожного рельса: H — высота; B — ширина подошвы; f — высота подошвы; t — толщина подошвы; h — высота головки; Бн — ширина головки по низу; Бв — ширина головки по верху; l — минимальная толщина шейки.
Ремарк Эрих Мария

Э. М. Ремарк.
Ремарк Эрих Мария

Э. М. Ремарк. «На западном фронте без перемен» (Москва, 1956). Художник А. А. Васин.
Рембо Артюр

А. Рембо.
Рембрандт Харменс ван Рейн

Рембрандт. «Святое семейство». 1654. Эрмитаж, Ленинград.
Рембрандт Харменс ван Рейн

Рембрандт. Автопортрет. 1665—67. Музей Вальраф-Рихарц. Кёльн.
Рембрандт Харменс ван Рейн

Рембрандт. «Еврейская невеста». Около 1666. Фрагмент. Рейксмюсеум, Амстердам.
Рембрандт Харменс ван Рейн

Рембрандт. «Флора». 1634. Эрмитаж, Ленинград.
Рембрандт Харменс ван Рейн

Рембрандт. «Фаус». Офорт. Ок. 1652.
Рембрандт Харменс ван Рейн

Рембрандт. Автопортрет. 1658. Собрание Фрик. Нью-Йорк.
Рембрандт Харменс ван Рейн

Рембрандт. «Автопортрет с Саскией». Около 1635. Дрезденская картинная галерея.
Рембрандт Харменс ван Рейн

Рембрандт. «Даная». 1636. Эрмитаж. Ленинград.
Рембрандт Харменс ван Рейн

Рембрандт. «Три дерева». Офорт. 1643.
Рембрандт Харменс ван Рейн

Рембрандт. «Ночной дозор». 1642. Рейксмюсеум, Амстердам.
Рембрандт Харменс ван Рейн

Рембрандт. «Кухня». Рисунок. Перо. Кисть. Около 1650. Фрагмент. Музей изобразительных искусств им. А. С. Пушкина. Москва.
Рембрандт Харменс ван Рейн

Рембрандт. «Слепой Товий». 1651.
Рембрандт Харменс ван Рейн

Рембрандт. «Три креста». Офорт. 1653.
Рембрандт Харменс ван Рейн

Рембрандт Харменс ван Рейн.">

Рембрандт Харменс ван Рейн

Рембрандт Харменс ван Рейн.">

Рембрандт Харменс ван Рейн

Рембрант. Автопортрет. 1660. Лувр. Париж.
Рембрандт Харменс ван Рейн

«Синдики». 1662. Рейксмюсеум, Амстердам.
Рембрандт Харменс ван Рейн

Рембрадт. Портрет Яна Сикса. 1654. Собрание Сикса. Амстердам.
Ремезы

Обыкновенные ремезы у гнезда: 1 — самец; 2 — самка.
Ремень-рыба

Рис. к ст. Ремень-рыба.
Ремесло Василий Николаевич

В. Н. Ремесло.
Ремённая передача

Схема ременной передачи и сечения ремней: а — плоскоременной; б — клиноременной; в — круглоременной; г — поликлиновой; 1 и 3 — ведущий и ведомый шкивы; 2 — ремень.
Ремнецветник

Ремнецветник европейский; а — цветок; б — плод (в разрезе).
Ремнецы

Жизненный цикл и сроки развития Ligula intestinalis.
Рен Кристофер

Лондон. Собор св. Павла (Сент-Пол). 1675—1710. Архитектор К. Рен.
Рен Кристофер

Кембридж. Библиотека Тринити-колледжа. 1676—84. Архитектор К. Рен.
Рени Гвидо
«Аврора». Фреска в Палаццо Палавичини-Роспильози в Риме. Около 1610. Рени Гвидо.">
Г. Рени. «Аврора». Фреска в Палаццо Палавичини-Роспильози в Риме. Около 1610.
Рени Гвидо

Г. Рени. «Аталанта и Гиппомен». Национальные музей и галереи Каподимонте. Неаполь.
Ренн Людвиг

Л. Ренн.
Рентгеновский структурный анализ
![Рис. 9. а. Проекция на плоскость ab функции межатомных векторов минерала баотита [BA<sub>4</sub>Ti<sub>4</sub> (Ti, Nb)<sub>4</sub> [Si<sub>4</sub>O<sub>12</sub>] O<sub>16</sub>Cl]. Линии проведены через одинаковые интервалы значений функции межатомных векторов (линии равного уровня). б. Проекция электронной плотности баотита на плоскость ab, полученная расшифровкой функции межатомных векторов (a). Максимумы электронной плотности (сгущения линий равного уровня) отвечают положениям атомов в структуре. в. Изображение модели атомной структуры баотита. Каждый атом Si расположен внутри тетраэдра, образованного четырьмя атомами O; атомы Ti и Nb — в октаэдрах, составленных атомами O. Тетраэдры SiO<sub>4</sub> и октаэдры Ti(Nb)O<sub>6</sub> в структуре баотита соединены, как показано на рисунке. Часть элементарной ячейки кристалла, соответствующая рис. а и б, выделена штриховой линией. Точечные линии на рис. а и б определяют нулевые уровни значений соответствующих функций. Рентгеновский структурный анализ.](http://www.help-rus-student.ru/icon/66/465_3.jpg)
Рис. 9. а. Проекция на плоскость ab функции межатомных векторов минерала баотита [BA4Ti4 (Ti, Nb)4 [Si4O12] O16Cl]. Линии проведены через одинаковые интервалы значений функции межатомных векторов (линии равного уровня). б. Проекция электронной плотности баотита на плоскость ab, полученная расшифровкой функции межатомных векторов (a). Максимумы электронной плотности (сгущения линий равного уровня) отвечают положениям атомов в структуре. в. Изображение модели атомной структуры баотита. Каждый атом Si расположен внутри тетраэдра, образованного четырьмя атомами O; атомы Ti и Nb — в октаэдрах, составленных атомами O. Тетраэдры SiO4 и октаэдры Ti(Nb)O6 в структуре баотита соединены, как показано на рисунке. Часть элементарной ячейки кристалла, соответствующая рис. а и б, выделена штриховой линией. Точечные линии на рис. а и б определяют нулевые уровни значений соответствующих функций.
Рентгеновский структурный анализ

Рис. 1. Лауэграмма монокристалла NaCI. Каждое пятно представляет собой след рентгеновского дифракционного отражения. Диффузные радиальные пятна в центре вызваны рассеянием рентгеновских лучей на тепловых колебаниях кристаллической решётки.
Рентгеновский структурный анализ

Рис. 2. Рентгенограмма кристалла миоглобина.
Рентгеновский структурный анализ

Рис. 3. Схема построения функции Патерсона для структуры, состоящей из 3 атомов.
Рентгенография материалов

Рис. 1. Профили линий дебаеграммы: а — узкие (неуширенные) сплошные отражения от кристаллитов размерами ~ 0,5 мкм; б — уширенные отражения от блоков мозаики размерами 0,1—0,2 мкм. b — полуширина размытой линии.
Рентгенография материалов

Рис. 2. Схема двойного вульф-брэгговского рассеяния (II) от блочного поликристалла в область малых углов e от первичного пучка I.
Рентгенография материалов

Рис. 3. Диффузное рассеяние состаренного монокристалла Ni — Be. Дополнительное диффузное рассеяние вокруг отражений твёрдого раствора вызвано распадом пересыщенного твёрдого раствора с образованием мелкодисперсной новой фазы, имеющей ту же кристаллическую решётку, что и раствор, но отличающуюся по составу и удельному объёму (разные периоды решётки). Для каждого отражения приведены индексы интерференции, отличающиеся от миллеровских индексов порядком отражения.
Рентгенография материалов
) вызвано неупорядоченным скопленнием атомов (ионов). Рентгенография материалов.">
Рис. 4. Дебаеграмма (а) аморфного твёрдого тела (или жидкости, расплава) и график (б) изменения распределения r(r) атомной плотности Hg с расстоянием r от центра неупорядоченного скопления. Появление нескольких первых размытых максимумов интенсивности I(S) (где
) вызвано неупорядоченным скопленнием атомов (ионов).
Рентгенография материалов

Рис. 5. Дебаеграмма сплава Fe — Al. При упорядоченном расположении атомов разного сорта, кроме обычных отражений 110, 200, 211. 220, 310, присущих твёрдому раствору с объёмноцентрированной кубической решёткой, появляются более слабые дополнительные сверхструктурные отражения 100, 111, 210, 300, 221. Нарушение порядка приводит к ослаблению интенсивности сверхструктурных линий.
Ренуар Пьер Огюст

Ренуар Пьер Огюст.">

Ренуар Пьер Огюст

О. Ренуар. Автопортрет. Автолитография. 1915.
Ренуар Пьер Огюст

О. Ренуар. «Нагая женщина, сидящая на кушетке». 1876. Музей изобразительных искусств им. А. С. Пушкина. Москва.
Репа

Сорта репы: 1 — Петровская 1; 2 — Миланская белая красноголовая; 3 — Майская жёлтая зеленоголовая 172.
Репарация

Рис. 1. Восстановление дрожжевых клеток от летальных повреждений, наблюдающееся при их выдерживании в среде, лишённой питательных веществ: 1 — зависимость выживаемости от дозы при высеве клеток на питательную среду сразу после облучения; 2 — то же при высеве через 48 ч, в течение которых клетки находились в среде, лишённой питательных веществ; 3 — зависимость выживаемости клеток, облученных в дозе 70 крад, от продолжительности выдерживания в среде, лишённой веществ. Стрелками показан способ расчёта питательных эффективной дозы. Ось абсцисс: вверху — доза g-лучей (крад), внизу — время восстановления (сутки): ось ординат — выживаемость (%).
Репарация

Рис. 2. Восстановление клеток растений от лучевых повреждений, вызывающих хромосомные перестройки. Кривые описывают зависимость количества поврежденных хромосом (ось ординат — %) в клетках облученных проростков бобов (1), гороха (2) и микроспорах традесканции (3) от времени (ось абсцисс — часы) между облучением и делением.
Репейница

Рис. к ст. Репейница.
26250-
26390