Электронная пушка

Рис. 3. Схема сильноточного диода: 1 — катод; 2 — слой катодной плазмы; 3 — типичная траектория электрона в диоде, имеющая спиралеобразную форму; 4 — типичная траектория иона в диоде; 5 — слой анодной плазмы; 6 — анод.

Электронно-дырочный переход

Рис. 1. Схема p-n-перехода: чёрные кружки — электроны; светлые кружки — дырки.

Электронно-дырочный переход

Рис. 2. Вольтамперная характеристика р — n-перехода: U — приложенное напряжение; I ток через переход; Is — ток насыщения; Unp — напряжение пробоя.

Электронное зеркало

Рис. 1. Осесимметричные двухэлектродные электронные зеркала: V1 и V2 потенциалы электродов; тонкие линии сечения эквипотенциальных поверхностей плоскостью рисунка; линии со стрелками траектории электронов с разной энергией. Зеркала а и б всегда рассеивающие; зеркала в, г и д могут быть как рассеивающими, так и собирающими.

Электронное зеркало

Рис. 2. Электростатическое цилиндрическое электронное зеркало: 1 и 2 — электроды, потенциалы которых соответственно V1 и V2. Название «цилиндрический» применительно к электроннооптическим системам отражает то обстоятельство, что в качестве электронных линз они могут действовать на электронный пучок так же, как цилиндрическая светооптическая линза — на световой пучок.

Электронное зеркало

Рис. 3. Электростатическое трансаксиальное электронное зеркало: 1 и 2 — электроды, находящиеся под потенциалами V1 и V2; R — радиус кривизны зазора между электродами; плоскость xz совмещена со средней плоскостью зеркала.

Электронное зеркало

Рис. 4. Отражение пучка электронов в средней плоскости трансаксиального электростатического электронного зеркала. Сплошными кривыми показаны сечения эквипотенциальных поверхностей средней плоскостью зеркала; пунктирная кривая эффективная поверхность отражения электронного зеркала, соответствующая поверхности отражения его светооптического аналога зеркала З.

Электронное копирование

Рис. к ст. Электронное копирование.

Электронное копирование

Электронно-искровой копировальный аппарат «ЭЛИКА» (СССР): схема устройства (вверху) и внешний вид (внизу).

Электроннолучевая печь

Схемы конструкций электроннолучевых печей: а—д, ж — с электростатическими электронными пушками; е — с магнетронной электронной пушкой; ЭП — электронная пушка; КК — кольцевой катод; ЛК — линейный катод; СК (ДК) — спиральный (или дисковый) катод; А — ускоряющий анод; МФС — магнитная фокусирующая система; МОС — магнитная отклоняющая система; РЭ — расходуемый электрод; Ш — сыпучая шихта; М — монокристалл; Сл — слиток; Кр — кристаллизатор; ГТ — гарнисажный тигель; Т — тигель; Ф — литейная форма; ХП — холодный под; ВС — вакуумная система.

Электроннолучевые приборы

Рис. 1. Схема простейшего электроннолучевого прибора: 1 — электронный луч (пучок электронов); 2 — электронная пушка; 3 — отклоняющие пластины; 4 — мишень; 5 — вакуумплотная оболочка; К — катод (источник электронов); М — управляющий электрод (модулятор).

Электроннолучевые приборы

Рис. 2. Схематическое изображение светоклапанного электроннолучевого прибора: 1 электронный луч; 2 источник света с оптической системой; 3 электронная пушка; 4 отклоняющие катушки; 5 мишень; 6 объектив; 7 проекционный экран.

Электроннооптический преобразователь

Структурная схема электроннооптического преобразователя: А — объект наблюдения; О — объектив; Ф — фотокатод; ФЭ — фокусирующий электрод; Э — люминесцентный экран; К — стеклянный или керамический корпус; стрелками показан ход лучей вне (оптических) и внутри (электронных) прибора.

Электронные линзы

Рис. 1. Диафрагма с круглым отверстием (собирающая): 1 — электрод-диафрагма; 2 — сечения эквипотенциальных поверхностей электростатического поля плоскостью рисунка; 3 — траектория электронов; F — фокус линзы. Однородное поле пимыкает к диафрагме слева. При эквипотенциалях проставлены соответствующие им значения потенциалов в произвольных единицах, причём принято, что потенциал равен нулю там, где равна нулю скорость частиц; V = 30 — потенциал электрода. Продольная составляющая E z напряженности E электрического поля тормозит электроны, поперечная составляющая Er — их фиксирует.

Электронные линзы

Рис. 2. Иммерсионные электронные линзы, состоящие из двух диафрагм (а) и двух цилиндров (б): тонкие линии — сечения эквипотенциальных поверхностей плоскостью рисунка; кривые со стрелками — траектории заряженных частиц; V1 и V2 — потенциалы электродов.

Электронные линзы

Рис. 3. Катодная электронная линза: 1 катод; 2 фокусирующий электрод; 3 анод; тонкие линии такие же сечения эквипотенциальных поверхностей, как и на предыдущих рисунках. На верхней шкале проставлены значения потенциалов (на катоде потенциал принят равным нулю); О одна из точек катода, испускающая электроны; заштрихованное пространство сечение области, занятой потоком электронов.

Электронные линзы

Рис. 4. Магнитная линза с полюсными наконечниками: 1 катушка возбуждения; 2 панцирь; 3 наконечники. Панцирь служит магнитопроводом. Полюсные наконечники концентрируют магнитное поле на небольшом участке вблизи оптической оси линзы z.

Электронные линзы

Рис. 5. Электростатические цилиндрические линзы: а — диафрагма со щелью; б — иммерсионная линза, составленная из двух пар пластин. В области прохождения заряженных частиц поля линз не изменяются в направлении, параллельном щелям диафрагм или зазорам между пластинами соседних электродов.

Электронные линзы

Рис. 6. Сечения электродов электростатических цилиндрических линз плоскостью, проходящей через ось г перпендикулярно к средней плоскости: а — цилиндрическая (щелевая) диафрагма; б — иммерсионная цилиндрическая линза; в — одиночная цилиндрическая линза; г — катодная цилиндрическая линза; V1, V2 — потенциалы соответствующих электродов.

Электронные линзы

Рис. 7. Электростатическая трансаксиальная линза с электродами в виде двух соосных цилиндров и с кольцевыми щелями для пропускания пучка частиц: 1 — цилиндрические электроды; 2 — траектории заряженных частиц; V1 и V2 — потенциалы электродов. Пучок, выходящий из точки А предмета, после прохождения поля линзы становится астигматическим и образует два линейных изображения В и B'. При определённом подборе параметров линза может давать стигматическое (точка в точку) изображение.

Электронные линзы

Рис. 8. Сечения квадрупольных электростатической (а) и магнитной (б) электронных линз, перпендикулярные направлению движения пучка заряженных частиц: 1 — электроды; 2 — силовые линии полей.

Электронные линзы

Рис. 9. Дублет из двух квадрупольных электростатических линз, поля которых повёрнуты вокруг оптической оси z системы одно относительно другого на угол 90°.

Электронные призмы

Рис. 1. Телескопическая система, состоящая из двух цилиндрических иммерсионных электростатических линз: 1, 2 электроды, составляющие первую по ходу пучка цилиндрическую линзу, 2, 3 вторую линзу; ломаные линии со стрелками проекции траекторий заряженных частиц на плоскости yz и ху; А Влинейный фокус. (Название «цилиндрический» применительно к электронным линзам указывает на то, что они могут действовать на электронный пучок так же, как цилиндрическая светооптическая линза на световой пучок.)

Электронные призмы

Рис. 2. Отклонение пучка заряженных частиц магнитной призмой: 1 — полюса магнита призмы; 2 — пучок заряженных частиц; АВ — линейный фокус.

Электронный микроскоп
" Электронный микроскоп.">

---

"

Электронный микроскоп
" Электронный микроскоп.">

---

"

Электронный микроскоп
Электронный микроскоп.">

Электронный микроскоп

Рис. 1. Электронный микроскоп просвечивающего типа (ПЭМ): 1 — электронная пушка; 2 — конденсорные линзы; 3 — объектив; 4 — проекционные линзы; 5 — световой микроскоп, дополнительно увеличивающий изображение, наблюдаемое на экране: 6 — тубус со смотровыми окнами, через которые можно наблюдать изображение; 7 — высоковольтный кабель; 8 — вакуумная система; 9 — пульт управления; 10 — стенд; 11 — высоковольтное питающее устройство; 12 — источник питания линз.

Электронный микроскоп

Рис. 3. Сверхвысоковольтный электронный микроскоп (СВЭМ): 1 — бак, в который накачивается электроизоляционный газ (элегаз) до давления 3—5 атм; 2 — электронная пушка; 3 — ускорительная трубка; 4 — конденсаторы высоковольтного источника; 5 — блок конденсорных линз; 6 — объектив; 7, 8, 9— проекционные линзы; 10 — световой микроскоп; 11 — пульт управления.

Электронный микроскоп

Рис. 5. Схема регистрации информации об объекте, получаемой в РЭМ. 1 — первичный пучок электронов; 2 — детектор вторичных электронов; 3 — детектор рентгеновского излучения; 4 — детектор отражённых электронов; 5 — детектор светового излучения; 6 — детектор прошедших электронов; 7 — прибор для измерения наведённого на объекте электрического потенциала; 8 — прибор для измерения тока прошедших через объект электронов; 9 — прибор для измерения тока поглощенных в объекте электронов.

Электронный микроскоп

Рис. 6. Принципиальная схема просвечивающего растрового электронного микроскопа (ПРЭМ): 1 — автоэмиссионный катод; 2 —промежуточный анод; 3 — анод; 4 — отклоняющая система для юстировки пучка; 5 — диафрагма «осветителя»; 6, 8 — отклоняющие системы для развертки электронного зонда; 7 — магнитная длиннофокусная линза; 9 — апертурная диафрагма; 10 — магнитный объектив; 11 — объект; 12, 14 — отклоняющие системы; 13 — кольцевой коллектор рассеянных электронов; 15 — коллектор нерассеянных электронов (убирается при работе со спектрометром); 16 — магнитный спектрометр, в котором электронные пучки поворачиваются магнитным полем на 90°; 17 — отклоняющая система для отбора электронов с различными потерями энергии; 18 — щель спектрометра; 19 — коллектор; ВЭ — поток вторичных электронов hn — рентгеновское излучение.

Электронный парамагнитный резонанс

Рис. 1. Изменение угла q прецессии магнитного момента m с частотой n1 = gH₁/2p в системе координат охуz, вращающейся вместе с полем H₁ вокруг направления Н с частотой n = gH₁/2p.

Электронный парамагнитный резонанс

Рис. 2. При hv = g?H происходит резонансное поглощение энергии переменного электромагнитного поля.

Электронный парамагнитный резонанс

Рис. 3. а — тонкая структура спектра ЭПР. Для случая S = 1 наблюдаются две линии поглощения в результате расщепления уровней при Н = 0; б — сверхтонкая структура спектра ЭПР.

Электронный парамагнитный резонанс

Рис. 4. Спектр ЭПР иона Mn2+ в кристалле метасиликата. Видны 5 групп линий тонкой структуры, соответствующих спину иона Mn2+ S = 5/2. Каждая группа состоит из 6 линий сверхтонкой структуры, обусловленной взаимодействием с ядерным спином I = 5/2.

Электронный проектор

Рис. 2a. Изображения поверхности вольфрамового острия радиусом 950 Å при увеличении в 10⁶ раз в электронном проекторе (а). На изображении можно видеть только структуру кристаллических плоскостей.

Электронный умножитель

Размножение электронов в канальном электронном умножителе: знаками + и обозначены полярности приложенного к каналу напряжения; стрелками показаны траектории электронов.

Электронный умножитель

Структурные схемы фотоэлектронных умножителей (ФЭУ) с линейными динодными системами: а — с корытообразными динодами; б — с жалюзийными динодами; Ф — световой поток; К — фотокатод; В — фокусирующие электроды катодной (входной) камеры; Э — диноды; А — анод; штрихпунктирными линиями изображены траектории электронов.

Электронография

Рис. 1. Электронограмма, полученная от текстуры.

Электронография

Рис. 2. Кикучи-электронограмма, полученная методом «на отражение» (симметрично расположены тёмные и светлые кикучи-линии).

Электронография

Рис. 3. Электрический потенциал молекулы дикетопиперазина в кристаллической структуре, полученный путём трёхмерного Фурье-синтеза; а и б оси симметрии молекулы, непрерывной линией показаны эквипотенциальные поверхности, сгущение линий соответствует положениям атомов.

Электрооптический дальномер

Блок-схема электрооптического дальномера.

Электропроводность (физич.)

Зависимость электропроводности s некоторых веществ от абсолютной температуры Т. Металлы: 1 — медь, 2 — свинец (ниже 7,3 К становится сверхпроводящим); полупроводники: 3 — графит, 4 — чистый германий, 5 — чистый кремний; ионные проводники: 6 — хлористый натрий, 7 — стекло.

Электросвязь

Рис. 1. Структурная схема одного из возможных способов сочетания аналогового и дискретного методов передачи электрических сигналов: АОА оконечный аппарат аналогового типа; ДОА оконечный аппарат дискретного типа; АДП аналого-дискретный (цифровой) преобразователь; ДАП дискретно(цифро)-аналоговый преобразователь: пунктирными линиями показан путь дискретных сигналов, сплошными аналоговых сигналов.

Электросвязь

Рис. 2. Осциллограммы, поясняющие принцип импульсно-кодовой модуляции: а — передаваемый аналоговый сигнал, который преобразуется в последовательность импульсных сигналов (показаны штриховкой); б — кодовые сигналы, несущие информацию о величине импульсных сигналов (показанных пунктиром); в — импульсы, восстановленные из кодовых сигналов на приёмном конце; г — восстановленный исходный аналоговый сигнал (пунктирными линиями указаны границы разброса его мгновенных значений, обусловленного шумами «квантования»); t — время.

Электросвязь

Рис. 3. Осциллограммы, поясняющие принцип дельта-модуляции: а — передаваемый аналоговый сигнал (плавная линия) и результат его квантования по уровню (ступенчатая линия); б — последовательность импульсов, отображающая ход ступенчатой функции; в — восстановленный сигнал (пунктирными линиями указаны границы разброса его мгновенных значений, обусловленного шумами квантования).

Электросвязь

Рис. 4. Структурная схема коммутационной станции (узла): ЛК линейные комплекты для сопряжения каналов и устройств управления; M1, М2, ...Мn, N1, N2, ...Nn каналы или абонентские линии; СКстанционные комплекты для обеспечения функционирования оконечных аппаратов (питание микрофонов, посылка адресной информации и др.): ШК шнуровые комплекты.

Электроснабжение

Рис. 1. Схема глубоких вводов 110 и 220 кв: а радиальная; б магистральная; ПГВ подстанции глубокого ввода; УРП узловая распределительная подстанция.

Электроснабжение

Рис. 2. Схемы сетей 6 и 10 кв: а — двухступенчатая радиальная с промежуточными распределительными пунктами (РП); б — магистральная с токопроводами; в — двухлучевая с автоматическим включением резерва (АВР) на напряжение 0,4 кв; ГПП — главная понизительная подстанция; ТП — трансформаторная подстанция.

Электростатический прибор

Электростатический измерительный прибор: 1 — подвижный электрод; 2 — неподвижный электрод; 3 — ось; 4 — пружина; 5 — стрелка; 6 — шкала.

Электрофизические и электрохимические методы обработки

Рис. 2. Схема электроэрозионного метода обработки: 1 — инструмент; 2 — заготовка; 3 — жидкий диэлектрик; 4 — электрические разряды.

Электрофизические и электрохимические методы обработки

Рис. 3. Схема обработки пазов ленточным электродом: 1 — лента; 2 — катушки; 3 — копир; 4 — заготовка.

Электрофизические и электрохимические методы обработки

Рис. 4б. Рабочее колесо газовой турбины, обработанное электроэрозионным методом.

Электрофизические и электрохимические методы обработки

Рис. 5. Электроэрозионный станок для извлечения обломков свёрл из глубоких отверстий в коленчатых валах.

Электрофизические и электрохимические методы обработки

Рис. 6. Принципиальная схема электроконтактной обработки: 1 — заготовка; 2 — диск; 3 — источник питания.

Электрофизические и электрохимические методы обработки

Рис. 7. Схема магнитоимпульсной обработки: 1 индуктор; 2 заготовка. Пунктиром показаны магнитные силовые линии; жирными стрелками механические силы.

Электрофизические и электрохимические методы обработки

Рис. 8. Схема устройства для электрогидравлической штамповки: 1 электроды; 2 заготовка; 3 вакуумная полость матрицы; 4 матрица; 5 рабочая жидкость.

Электрофизические и электрохимические методы обработки

Рис 4. Половина ковочного штампа.

Электрофизические и электрохимические методы обработки

Рис. 1. Классификация основных электрофизических и электрохимических методов обработки.

Электрофизические и электрохимические методы обработки

Рис. 9. Схема анодно-гидравлической обработки поверхности турбинной лопатки подвижными электродами: 1 — лопатка; 2 — электроды; 3 — электролит. Стрелками показано направление движения электродов и электролита.

Электрофизические и электрохимические методы обработки

Рис 4. Половина ковочного штампа.

Электрофизические и электрохимические методы обработки

Рис. 1. Классификация основных электрофизических и электрохимических методов обработки.

Электрофон

Электрофон высшего класса типа «Феникс-001» (СССР). Обеспечивает электроакустическое воспроизведение стереои монофонической грамзаписей. Основные технические характеристики: номинальный диапазон воспроизводимых частот 40—18000 гц; коэффициент нелинейных искажений на частоте 1000 гц не более 1%; номинальная выходная мощность 2х15 вт; частота вращения диска 45; 331/3 мин^-1.

Электрофотографическое копирование

Схема процесса непосредственного электрофотографического копирования: а — электрофотополупроводниковая бумага — носитель копии (1 — фотополупроводниковый слой, 2 — электропроводная основа); б — распределение зарядов в носителе копии; в — экспонирование фотополупроводникового слоя (стрелками обозначены световые лучи); г — носитель копии после экспонирования; 8 — проявление скрытого изображения (чёрными кружками обозначены частицы красящего порошка): е — носитель копии с закрепленным изображением (чёрными прямоугольниками обозначены расплавленные частицы порошка, прилипшие к основе носителя).

Электрохимический генератор

Водородно-воздушный электрохимический генератор для питания переносного телевизора (мощность 15 вm, ресурс работы 2000 ч).

Электрошлаковая печь

Рис. 1. Схемы конструкций электрошлаковых печей: а — с неподвижными слитком и кристаллизатором и опускающимся по мере оплавления электродом; б — с неподвижным кристаллизатором и опускающимися по ходу плавки слитком и электродом: в — с неподвижным слитком, поднимающимся по ходу плавки кристаллизатором и опускающимся электродом.

Электрошлаковая печь

Рис. 2. Электрошлаковая печь для выплавки листовых слитков: 1 — трансформаторы; 2 — расходуемые электроды: 3 — кристаллизатор; 4 — слитки.

Электрошлаковый переплав

Схема электрошлакового переплава с одним (а) и двумя (б) расходуемыми электродами: 1 — расходуемый электрод; 2 — шлаковая ванна; 3 — металлическая ванна; 4 — слиток.

Электроэнцефалография

Электроэнцефалограмма: 1 — затылочно—височное, 2 — височно—лобное, 3 — лобно—теменное отведения; s — левое и d — правое полушария; а — записана у здорового человека (хорошо выражен альфа-ритм), б — записана у больного человека после мозгового инсульта (фокус патологической активности выражен высоко-амплитудными дельта-волнами в правой височной области).

Эленшлегер Адам Готлоб

А. Г. Эленшлегер.

36400-36540