Поле направлений

Рис. к ст. Поле направлений.
Полевица

Полевица: 1 — собачья (а — колосок, б — нижняя цветковая чешуя с остью); 2 — побегообразующая (а — колосок).
Полевой Борис Николаевич

Б. Н. Полевой.
Полевой Николай Алексеевич

Н. А. Полевой.
Полевой транзистор

Схематическое изображение полевых транзисторов с управляющим р-n-переходом (а), с управляющим переходом металл — полупроводник (б), с изолированным затвором (в) и их переходные характеристики: 1 — затвор; 2 — область канала; 3 — область пространственного заряда; 4 — исток; 5 — сток; 6 — диэлектрик; 7 — полупроводник с проводимостью р-типа; 8 — полупроводник с проводимостью n-типа; Ic — ток стока; Ec — постоянное напряжение источника тока в цепи стока; U3 — напряжение затвора; Uoт — напряжение отсечки; ec — напряжение усиливаемого сигнала; Ез — напряжение начального смещения рабочей точки; Rн — сопротивление нагрузки; зачернены области металлических покрытий; стрелками (в канальной области) показано направление движения электронов.
Полевые шпаты

Рис. к ст. Полевые шпаты.
Полезащитное лесоразведение

Рис. 1. Продольный профиль лесной полосы ажурной конструкции.
Полезащитное лесоразведение

Рис. 2. Продольный профиль лесной полосы продуваемой конструкции.
Поленов Василий Дмитриевич

В. Д. Поленов.
Поленова Елена Дмитриевна

Е. Д. Поленова. «Иван-царевич и Жар-птица». Акварель. Журнал «Мир искусства», 1900, № 13—14.
Полетаев Николай Гурьевич

Н. Г. Полетаев.
Ползучесть

Рис. 1. Пример кривой ползучести.
Ползучесть

Рис. 2. а — кривые ползучести ep металлов при различных нагрузках; б — кривые релаксации напряжения s при постоянной деформации.
Полигнот Первый (древнегреч. вазописец)

Полигнот Первый. «Эос на колеснице». Роспись краснофигурной амфоры. 5 в. до н. э. Музей изобразительных искусств им. А. С. Пушкина. Москва.
Полигонометрия

Рис. 1. Полигонометрический ход.
Полигонометрия

Рис. 2. Полигонометрическая сеть.
Полигонометрия

Рис. 3. Определение длины стороны полигонометрического хода параллактическим методом.
Поликарпов Николай Николаевич

Н. Н. Поликарпов.
Поликлет (из Аргоса)

Поликлет. «Диадумен». Около 420—410 до н. э. Римская копия. Национальный археологический музей. Афины.
Поликлет (из Аргоса)

Поликлет. «Раненая амазонка». Мраморная римская копия с бронзового оригинала. Около 440—430 до н. э. Метрополитен-музей. Нью-Йорк.
Поликлет (из Аргоса)

Скульптура высокой и поздней классики. Поликлет. «Дорифор». Ок. 440 до н. э. Римская копия. Национальный музей. Неаполь.
Поликлет Младший

Архитектура материковой Греции. Поликлет Младший. Театр в Эпидавре. 350—330 до н. э.
Полиметрия (в музыке)

Рис. к ст. Полиметрия.
Полиморфизм (в физике)

а — изменение свободной энергии U кристалла при изменении взаимного расположения атомов, минимумы соответствуют двум устойчивым модификациям a и b; б — зависимость U от температуры.
Полинг Лайнус Карл

Л. Полинг.
Полипы (биол.)

Рис. 3. Колония кишечнополостных: 1 — полип с расправленными щупальцами; 2 — полип со сжатыми щупальцами; 3 — медуза, отделившаяся от колонии.
Полиспаст

Силовой семикратный полиспаст: 1 — кольцо для подвески груза; 2 — подвижная обойма; 3 — сбегающая на лебёдку ветвь каната; 4 — неподвижная обойма; 5 — серьга для подвески полиспаста.
Полица

Полица (указана стрелкой).
Полицеймако Виталий Павлович

В. Полицеймако Виталий Павлович Полицеймако.
Полиэтилентерефталат

Рис. к ст. Полиэтилентерефталат.
Полка
![Классические греческие архитектурные обломы: 1 — полочка (иначе — плинт, плита); 2 — валик, или вал (торус), и четвертной вал (до пунктира) [строятся по дугам окружности или более сложным кривым (правый чертёж)]; 3 — дорический «ястребиный клюв» (слезник) и этапы его развития; 4 — дорическая кима (киматий), или гусёк (а — прямой, б — обратный); 5 — ионический «лесбийский киматий», или каблучок (а — прямой, б — обратный); 6 — выкружка, строящаяся по кривым, близким к дугам окружности; 7 — скоция (асимметричная выкружка с профилем двухцентровой дуги или более сложной кривой); 8 — астрагал (сочетание полочки с валом и выкружки). Полка.](http://www.help-rus-student.ru/icon/61/490_1.jpg)
Классические греческие архитектурные обломы: 1 — полочка (иначе — плинт, плита); 2 — валик, или вал (торус), и четвертной вал (до пунктира) [строятся по дугам окружности или более сложным кривым (правый чертёж)]; 3 — дорический «ястребиный клюв» (слезник) и этапы его развития; 4 — дорическая кима (киматий), или гусёк (а — прямой, б — обратный); 5 — ионический «лесбийский киматий», или каблучок (а — прямой, б — обратный); 6 — выкружка, строящаяся по кривым, близким к дугам окружности; 7 — скоция (асимметричная выкружка с профилем двухцентровой дуги или более сложной кривой); 8 — астрагал (сочетание полочки с валом и выкружки).
Поллайоло Антонио дель

А. дель Поллайоло. «Мученичество св. Себастьяна». 1475. Национальная галерея. Лондон.
Поллак Михай

М. Поллак. Национальный музей в Будапеште. 1837—47.
Поллит Гарри

Г. Поллит.
Поллок Джэксон

Дж. Поллок. «№ 23». 1949.
Полное внутреннее отражение

Рис. 1. Полное внутреннее отражение (луч 6) происходит при углах падения света на поверхность оптпчески менее плотной среды, превышающих критический угол iпр, для которого угол преломления j составляет 90° (луч 5). A — источник света. Показатель преломления нижней среды больше показателя преломления верхней.
Полное внутреннее отражение

Рис. 2. Призмы полного внутреннего отражения: а — поворачивающая призма; б — оборотная призма. Стрелки на линиях, изображающих лучи света, указывают направление этих лучей.
Полное внутреннее отражение

Рис. 3. Полное внутреннее отражение в струе жидкости. S — источник света.
Полносборное строительство

Установка в проектное положение полностью собранного покрытия производственного здания.
Поло Марко

М. Поло.
Поло Марко

Путешествия Марко Поло 1271—1295 гг.
Полонский Яков Петрович

Я. Полонский Яков Петрович Полонский.
Полосковая линия

Рис. 1. Симметричная (a) и несимметричная (б) полосковые линии и распределение электрического поля в них (соответственно в и г — вид с торца): 1 — заземляемая металлическая пластинка; 2 — металлическая полоска; 3 — диэлектрик. Стрелками показаны силовые линии электрического поля.
Полосковая линия

Рис. 2. Направленный ответвитель (а) и делитель мощности (б) на полосковых линиях (на схемах показаны только металлические полоски, вид сверху): 1 — металлическая полоска основной линии; 2 — металлическая полоска вспомогательной линии. Стрелками показано направление распространения электромагнитных волн.
Полосы равного наклона

Полосы равного наклона образуются на экране Э или светочувствительном слое в результате собирания линзой L параллельных лучей, отражённых от плоско-параллельной пластинки. В одной точке экрана (О) собираются все лучи, упавшие на пластинку в плоскости рисунка под углом j (например, пары лучей, возникающие при «расщеплении» лучей S и S1 ). Лучи, падающие под другим углом (показан лишь один из них — луч S'), будут пересекаться в фокальной плоскости линзы (на экране) в другой точке — О'.
Полосы равной толщины

Рис. 1. Разность хода интерферирующих лучей, отражённых от верхней и нижней границ тонкого слоя, зависит от углов падения освещающих лучей. Однако разброс этих углов даже в случае протяжённых источников света обычно столь невелик, что разность хода, приобретаемая в точке М слоя лучами 1—1' и 2—2'; которые испущены разными участками (S1 и S2) источника, практически одинакова. Поэтому полосы равной толщины локализованы непосредственно на поверхности слоя и их можно наблюдать без вспомогательных оптических устройств (линза на рис. может быть хрусталиком глаза). М' — точка на сетчатке глаза (или — при использовании дополнительной линзы — на экране), где фокусируется изображение точки М поверхности слоя, т. е, одной из точек линии равной толщины.
Полосы равной толщины

Рис. 2. Полосы равной толщины на поверхности слюдяной пластинки, характеризующие микрорельеф этой поверхности.
Полоцк

Белорусская ССР. Софийский собор в Полоцке. 2-я пол. 11 — середина 18 вв.
Полоцк

Полоцк. Собор (до 1159, зодчий Иоанн) Спасо-Ефросиниевского монастыря.
Полтава

Полтава. Круглая площадь. Начало 20 в.
Полтава

Полтава. Колонна Славы. 1811.
Полтава

Полтава. Октябрьская улица.
Полтавская область

Полтавская область. Миргород. Строительный комбинат.
Полтавская область

Полтавская область. Кременчуг. Сборочный конвейер автомобильного завода.
Полтавская область

Полтавская область. Миргород. Улица Гоголя.
Полтавская область

Полтавская область. Село Кошмановка Машевского района.
Полтавская область

Полтавская область. Плотина Кременчугской ГЭС.
Полтавская область

Полтавская область. Пригород Полтавы.
Полтавская область

Полтавская область. Пахота в колхозе им. В. И. Ленина Котелевского района.
Полтавское сражение 1709

Полтавское сражение 1709 г.
Полторацкий Павел Герасимович

Полторацкий Павел Герасимович Г. Полторацкий.
Полуавтоматическая блокировка

Схема релейной полуавтоматической блокировки: ПУ — пульты управления; БУ — блокирующие устройства; ЛС — линия связи; ДИ — датчики информации; ДСП — датчик путевого светофора.
Полубояров Павел Павлович

Полубояров Павел Павлович Полубояров Павел Павлович Полубояров.
Полуволновой вибратор

Простая телевизионная антенна: 1 — полуволновой вибратор; 2 — фидер; 3 — подставка. Пунктиром показано распределение тока I вдоль вибратора; l — длина рабочей волны.
Полупроводники

Рис. 1. Заполнение энергетических зон при абсолютном нуле температуры: а — в диэлектриках; б — в металлах; разрешенные зоны заштрихованы, заполненные зоны или их части заштрихованы дважды.
Полупроводники

Рис. 2. Заполнение энергетических зон в полупроводнике; показаны только валентная зона и зона проводимости; чёрные кружочки — электроны в зоне проводимости, белые — дырки в валентной зоне.
Полупроводники
![Рис. 3. Схема энергетических зон Ge; <span style='font-family:Symbol'>D</span>E — ширина запрещенной зоны, L, Г и <span style='font-family:Symbol'>D</span> — три минимума зависимости E<sub>(р)</sub> в зоне проводимости вдоль осей [100] (<span style='font-family:Symbol'>D</span> и Г) и [111] (L). Полупроводники.](http://www.help-rus-student.ru/icon/61/656_4.jpg)
Рис. 3. Схема энергетических зон Ge; DE — ширина запрещенной зоны, L, Г и D — три минимума зависимости E(р) в зоне проводимости вдоль осей [100] (D и Г) и [111] (L).
Полупроводники

Рис. 4. Электронные переходы, создающие электропроводность в полупроводнике: 1 — ионизация доноров (проводимость n-типа); 2 — захват валентных электронов акцепторами (проводимость р-типа); 3 — рождение электронно-дырочных пар (собственная проводимость); 4 — компенсация примесей.
Полупроводники

Рис. 5. Температурная зависимость концентрации n носителей тока в умеренно легированном (1) и сильно легированном (2) полупроводниках: I — область частичной ионизации примесей; II — область их полной ионизации; III — область собственной проводимости.
Полупроводники

Рис. 6. Различные типы нелинейных зависимостей плотности тока j = ennд от напряжённости электрического поля Е в полупроводниках; а — насыщающаяся; б — N-oбразная; в — S-oбразная.
24710-
24850