Полупроводники органические

Удельное электросопротивление r и энергия активации U_А электропроводности органических и неорганических полупроводников.

Полупроводниковая электроника

 Рис. 1. Универсальная ионнолучевая установка «Везувий-1» (СССР) с энергией ионов до 200 кэв, позволяющая осуществлять ионное легирование полупроводниковых материалов практически любыми примесями: 1 — пульт управления; 2 — источник и ускоритель ионов; 3 — магнитный сепаратор ионов; 4 — камера легирования.

Полупроводниковая электроника

Рис. 2. Структура мощного СВЧ кремниевого транзистора, позволяющего получить мощность 5 вт на частоте 2 Ггц (фотография; увеличено). Транзистор содержит 234 эмиттера с размерами 1,5´30 мкм и 18 стабилизирующих резисторов; 18 алюминиевых проволочек соединяют кристалл прибора с выводами.

Полупроводниковая электроника

Рис. 3. Участок цеха, в котором производится чистая сборка полупроводниковых приборов.

Полупроводниковая электроника

Рис. 4. Большая интегральная микросхема для электронных часов. В кристалле кремния с активной площадью около 3 мм² создано 1438 nи р-канальных полевых транзисторов, образующих посредством двухслойной системы связей микро-ЭВМ, которая ведёт отсчёт текущего времени суток (секунд, минут, часов), дней недели, дат; расходуемая мощность не более 10 мквт.

Полупроводниковый детектор

Полупроводниковые детекторы; штриховкой выделена чувствительная область; n — область полупроводника с электронной проводимостью, р — с дырочной, i — с собственной проводимостями; а — кремниевый поверхностно-барьерный детектор; б — дрейфовый германий-литиевый планарный детектор; в — германий-литиевый коаксиальный детектор.

Полупроводниковый диод

Рис. 1. Структурная схема полупроводникового диода с р — n-переходом: 1 — кристалл; 2 — выводы (токоподводы); 3 — электроды (омические контакты); 4 — плоскость р — n-перехода.

Полупроводниковый диод

Рис. 2. Типичная вольтамперная характеристика полупроводникового диода с р — n-переходом: U — напряжение на диоде; I — ток через диод; U*_oбр и I*_oбр — максимальное допустимое обратное напряжение и соответствующий обратный ток; U_cт — напряжение стабилизации.

Полупроводниковый диод

Рис. 3. Малосигнальная (для низких уровней сигнала) эквивалентная схема полупроводникового диода с р — n-переходом: r_p-n — нелинейное сопротивление р — n-перехода; r_б — сопротивление объёма полупроводника (базы диода); r_yт — сопротивление поверхностных утечек; С_Б — барьерная ёмкость р — n-перехода; С_диф — диффузионная ёмкость, обусловленная накоплением подвижных зарядов в базе при прямом напряжении; С_к — ёмкость корпуса; L_к — индуктивность токоподводов; А и Б — выводы. Сплошной линией показано подключение элементов, относящихся к собственно р — n-переходу.

Полупроводниковый диод

Рис. 4. Вольтамперные характеристики туннельного (1) и обращенного (2) диодов: U — напряжение на диоде; I — ток через диод.

Полупроводниковый диод

Рис. 5. Полупроводниковые диоды (внешний вид): 1 — выпрямительный диод; 2 — фотодиод; 3 — СВЧ диод; 4 и 5 — диодные матрицы; 6 — импульсный диод. Корпуса диодов: 1 и 2 — металло-стеклянные; 3 и 4 — металло-керамические; 5 — пластмассовый; 6 — стеклянный.

Полупроводниковый лазер
 и — квазиуровни Ферми для электронов проводимости и дырок. Полупроводниковый лазер.">
Рис. 1. Энергетические схемы: а — накачки и излучательной рекомбинации в полупроводнике; б — оптического усиления при наличии инверсии населённостей состояний вблизи краев зон — дна Е_с зоны проводимости и потолка Е_n валентной зоны; DЕ — ширина запрещенной зоны,  и — квазиуровни Ферми для электронов проводимости и дырок.

Полупроводниковый лазер

Рис. 2. Инжекционный лазер на р-n-переходе.

Полупроводниковый лазер

Рис. 3. Схема энергетических зон в р-n-переходе: а — при отсутствии тока; б — при сильном прямом токе; носители диффундируют в области, прилегающие к переходу, образуя с основными носителями избыточные электронно-дырочные пары.

Полупроводниковый лазер

Рис. 4. а — лазер на гетеропереходе (двусторонняя гетероструктура), б — его энергетическая схема.

Полупроводниковый лазер

Рис. 5. Образцы инжекционных лазеров.

Полупроводниковый лазер

Рис. 6. Схематическое изображение полупроводниковых лазеров с электронной накачкой: а — поперечной, б — продольной.

Полупроводниковый лазер

Рис. 7. Полупроводниковый лазер с электронной накачкой в отпаянной вакуумной трубке.

Полупроводниковый лазер

Рис. 8. Схема проекционного лазерного телевизора: 1 — электронная пушка; 2 — фокусирующая и отклоняющая система; 3 — полупроводниковый кристалл — резонатор; 4 — объектив; 5 — экран.

Полурылы

Японский полурыл.

Полутень

Рис. к ст. Полутень.

Полушник

Полушник озерный: а — общий вид; б — нижняя часть спорангиеносного листа; в — то же в разрезе.

Полынь

Рис. 1. Полынь горькая, лист и верхняя часть растения; а — корзинка; б — цветок (разрез); в — семянка.

Полынь

Рис. 2. Полынь эстрагон; верхние части растения.

Польская кампания 1939

Польская кампания 1939 года.

Польское восстание 1830-31

Польское восстание 1830—31 годов.

Польское восстание 1863-64

Польское восстание 1863—64 годов.

Польша

Птицеферма в Нидзице.

Польша

Барбакан. 16 в.

Польша

Польша. Горный курорт Закопане.

Польша

Польша. Флаг государственный.

Польша

Герб Пястов — первой династии польских королей.

Польша

Государственный герб Польши.

Польша

Польша. Озеро Гопло.

Польша

Польша. Побережье Балтийского моря.

Польша

Польша. Костёл Троицы в Радзыне Подляски. Западный фасад (1641).

Польша

Польша. Межгорная котловина Подгале на юге Польше.

Польша

Польша. В Беловежской пуще.

Польша

Польша. Гребневая зона Татр.

Польша

Польша. Флаг государственный.

Польша

Герб Пястов — первой династии польских королей.

Польша

Государственный герб Польши.

Польша

Польша в 1939—45. Выселение фашистскими оккупантами сельского населения в районе г. Замосць.

Польша

Судоверфь в г. Гдыня.

Польша

Польша. Флаг государственный.

Польша

Герб Пястов — первой династии польских королей.

Польша

Государственный герб Польши.

Польша

Ратуша в Хелмно. 16 и 18 вв.

Польша

Щецин. Центр города.

Польша

Польша. Костёл св. Якуба в Торуни. Нач. 14—15 вв.

Польша

Гданьск. Один из рукавов дельты Вислы.

Польша

Торунь.

Польша

Архитектура 13—16 вв. Костёл Святого креста в Кракове. 14 — начало 16 вв.

Польша

Гидроэлектростанция на р. Сола, в Краковском воеводстве.

Польша

Речь Посполита в 1768—1795 гг.

Польша

«Гнезненские двери». Бронза. Ок. 1170.

Польша

Польша. Формы выветривания в горах Крконоше.

Польша

X. Родаковский. Портрет генерала Дембинского. 1852. Национальный музей. Краков.

Польша

Крестьяне платят чинш. Миниатюра из рукописи 14 в.

Польша

Рабочее, крестьянское и национально-освободительное движение в Польше в 1918—1923 гг.

Польша

Нова-Хута (Краков), металлургический завод им. В. И. Ленина.

Польша

Новый центр г. Катовице. Архитекторы И. Ярецкий, З. Кносала, М. Крулидр. 2-я половина 1960-х гг.

Польша

Алтарная часть костёла Девы Марии. Ок. 1360.

Польша

«Распятие из Коженной». 2-я четверть 15 в. Фрагмент. Национальный музей. Краков.

Польша

Ф. Рушиц. «Земля». 1898. Национальный музей. Варшава.

Польша

Польша в 1939—45. Немецко-фашистские оккупанты на государственной границе Польши. Сентябрь 1939.

Польша

Польша. К. Мерошевский. Костёл бернардинцев на Страдоме в Кракове. 1670—80.

Польша

Польша. Дворец «Под бляхой» в Варшаве. 17—18 вв.

Польша

Польша в 1939—45. В дни Варшавского восстания 1944.

Польша

«Снятие со креста» из Хомраниц. Около 1440. Музей в Тарнуве.

24780-24920