Рис. 3. Малосигнальная (для низких уровней сигнала) эквивалентная схема полупроводникового диода с р — n-переходом: rp-n — нелинейное сопротивление р — n-перехода; rб — сопротивление объёма полупроводника (базы диода); ryт — сопротивление поверхностных утечек; СБ — барьерная ёмкость р — n-перехода; Сдиф — диффузионная ёмкость, обусловленная накоплением подвижных зарядов в базе при прямом напряжении; Ск — ёмкость корпуса; Lк — индуктивность токоподводов; А и Б — выводы. Сплошной линией показано подключение элементов, относящихся к собственно р — n-переходу.

Большая Советская Энциклопедия. Статьи для написания рефератов, курсовых работ, научные статьи, биографии, очерки, аннотации, описания.
А Б В Г Д Е Ё Ж З И Й К Л М Н О П Р С Т У Ф Х Ц Ч Ш Щ Ъ Ы Ь Э Ю Я 1 2 3 4 8 A L M P S T X

Иллюстрация к статье на тему "Полупроводниковый диод". Статьи для написания рефератов, курсовых работ, научные статьи, биографии, очерки, аннотации, описания.

Полупроводниковый диод

Рис. 3. Малосигнальная (для низких уровней сигнала) эквивалентная схема полупроводникового диода с р — n-переходом: r<sub>p</sub><sub>-n</sub> — нелинейное сопротивление р — n-перехода; r<sub>б</sub> — сопротивление объёма полупроводника (базы диода); r<sub>y</sub><sub>т</sub> — сопротивление поверхностных утечек; С<sub>Б</sub> — барьерная ёмкость р — n-перехода; С<sub>диф</sub> — диффузионная ёмкость, обусловленная накоплением подвижных зарядов в базе при прямом напряжении; С<sub>к</sub> — ёмкость корпуса; L<sub>к</sub> — индуктивность токоподводов; А и Б — выводы. Сплошной линией показано подключение элементов, относящихся к собственно р — n-переходу. Полупроводниковый диод.

Рис. 3. Малосигнальная (для низких уровней сигнала) эквивалентная схема полупроводникового диода с р — n-переходом: rp-n — нелинейное сопротивление р — n-перехода; rб — сопротивление объёма полупроводника (базы диода); ryт — сопротивление поверхностных утечек; СБ — барьерная ёмкость р — n-перехода; Сдиф — диффузионная ёмкость, обусловленная накоплением подвижных зарядов в базе при прямом напряжении; Ск — ёмкость корпуса; Lк — индуктивность токоподводов; А и Б — выводы. Сплошной линией показано подключение элементов, относящихся к собственно р — n-переходу.
Так же Вы можете узнать о...

Стипендия (от лат. stipendium — плата, жалованье), денежное пособие, выдаваемое регулярно (обычно ежемесячно) обучающимся на дневных отделениях (факультетах) специальных учебных заведений и курсов различного типа, лицам, проходящим с отрывом от производства подготовку к научной работе в системах аспирантуры (а также к защите докторской диссертации) и повышения квалификации.
Тихомиров Александр Андреевич [19.9(1.10).1850 — 23.
Фабрициус Ян Фрицевич [14(26).6.1877, ныне около Злекас Вентспилсского района Латвийской ССР, – 24.
Хлыновская земля, см. Вятская земля.
Шейх Шафиа Ахмед (1924 — 1971), деятель суданского и международного рабочего движения; см.
«Юнион шимик бельж», см. «ЮШБ».
Анамнез (греч. anamnesis — воспоминание), сведения об условиях жизни больного, предшествовавших данному заболеванию, а также вся история развития болезни.
Барода (феод. княжество) Барода, индийское феодальное княжество в Гуджарате с 1-й половины 18 в.
Броун-Секар Шарль Эдуар Броун-Секар (Brown-S