Рис. 2. Принципиальные схемы усилителей на биполярных и полевых транзисторах: с общим эмиттером (а), общим истоком (б), общей базой (в) и общим затвором (г); Э, К, Б — эмиттер, коллектор и база биполярного транзистора; И, З, С — исток, затвор и сток полевого транзистора; еr — источник усиливаемых колебаний; Rг, Rн — эквивалентные сопротивления входной цепи и нагрузки; Ебэ, Екэ, Ези, Еси — источники постоянного тока соответственно в цепях база — эмиттер, коллектор — эмиттер, затвор — исток, сток — исток. Название типа усилителя определяется тем, какая область (электрод) транзистора является общей для цепи источника усиливаемого сигнала и цепи нагрузки.

Большая Советская Энциклопедия. Статьи для написания рефератов, курсовых работ, научные статьи, биографии, очерки, аннотации, описания.
А Б В Г Д Е Ё Ж З И Й К Л М Н О П Р С Т У Ф Х Ц Ч Ш Щ Ъ Ы Ь Э Ю Я 1 2 3 4 8 A L M P S T X

Иллюстрация к статье на тему "Усилитель электрических колебаний". Статьи для написания рефератов, курсовых работ, научные статьи, биографии, очерки, аннотации, описания.

Усилитель электрических колебаний

Рис. 2. Принципиальные схемы усилителей на биполярных и полевых транзисторах: с общим эмиттером (а), общим истоком (б), общей базой (в) и общим затвором (г); Э, К, Б — эмиттер, коллектор и база биполярного транзистора; И, З, С — исток, затвор и сток полевого транзистора; е<sub>r</sub> — источник усиливаемых колебаний; R<sub>г</sub>, R<sub>н</sub> — эквивалентные сопротивления входной цепи и нагрузки; Е<sub>бэ</sub>, Е<sub>кэ</sub>, Е<sub>зи</sub>, Е<sub>си</sub> — источники постоянного тока соответственно в цепях база — эмиттер, коллектор — эмиттер, затвор — исток, сток — исток. Название типа усилителя определяется тем, какая область (электрод) транзистора является общей для цепи источника усиливаемого сигнала и цепи нагрузки. Усилитель электрических колебаний.

Рис. 2. Принципиальные схемы усилителей на биполярных и полевых транзисторах: с общим эмиттером (а), общим истоком (б), общей базой (в) и общим затвором (г); Э, К, Б — эмиттер, коллектор и база биполярного транзистора; И, З, С — исток, затвор и сток полевого транзистора; еr — источник усиливаемых колебаний; Rг, Rн — эквивалентные сопротивления входной цепи и нагрузки; Ебэ, Екэ, Ези, Еси — источники постоянного тока соответственно в цепях база — эмиттер, коллектор — эмиттер, затвор — исток, сток — исток. Название типа усилителя определяется тем, какая область (электрод) транзистора является общей для цепи источника усиливаемого сигнала и цепи нагрузки.
Так же Вы можете узнать о...

Каменное литьё, процесс получения изделий главным образом из базальта, реже из диабаза и др.
Клаймакс (Climax), крупнейшее в мире месторождение молибденовой руды, находящееся в штате Колорадо (США), в Скалистых горах, на высоте 3500 м.
Коссель Вальтер Коссель (Kossel) Вальтер (4.1.1888, Берлин, — 22.
Лануго (от лат. lanugo — пух, пушок), первичный волосяной покров, очень тонкие волосы, покрывающие тело 7—8-месячного плода человека; большая часть их выпадает до рождения.
Ляпунов Алексей Андреевич [25.9(8.10).1911, Москва, — 23.
Мертваго Дмитрий Борисович [5(16).8.1760, Алатырский уезд Симбирской губернии, — 23.
Мусоргский Модест Петрович [9 (21).3.1839, с.
Носка, река в Тюменской области РСФСР, левый приток Иртыша.
Паган (первое гос-во бирманцев) Паган, первое государство бирманцев. Существовало в 11—13 вв.
Пластуны (от слова «пласт», т. е. лежащие пластом), личный состав пеших команд и частей Черноморского, а позже Кубанского казачьих войск в 19 и начале 20 вв.