Культивация (от позднелат. cultivo — обрабатываю, возделываю), рыхление обработанной почвы (без оборачивания) с подрезанием сорняков. В результате Культивация улучшается воздушный и водный режим почвы, усиливается деятельность почвенных микроорганизмов, обеспечиваются наиболее благоприятные условия для дружного прорастания семян культурных растений, их роста и развития. Культивация создаёт на поверхности почвы рыхлый слой, препятствующий капиллярному поднятию влаги и интенсивному её испарению с поверхности почвы, выравнивает вспаханную почву, является эффективным средством борьбы с сорной растительностью. Проводится прицепными и навесными культиваторами с рабочими органами различных типов. Культивация может быть сплошная, когда ведут обработку на площади всего поля, и междурядная, когда проводят рыхление лишь междурядий пропашных и др. культур.

  Сплошную Культивация применяют при обработке зяби и паров. Как правило, зябь культивируют весной, чтобы разрыхлить уплотнившийся за зиму поверхностный слой почвы, усилить доступ воздуха, ускорить прогревание почвы, уничтожить всходы сорняков. Весеннюю предпосевную Культивация зяби под посев ранних яровых культур проводят через несколько суток после боронования или шлейфования на глубину заделки семян для уничтожения появившихся всходов сорняков и создания уплотнённого ложа для семян под рыхлым поверхностным слоем. Для борьбы с сорняками до посева поздних яровых культур зябь культивируют 2—3 раза. Культивация паров имеет особенно большое значение в засушливых районах, где др. способы обработки почвы, связанные с её оборачиванием, приводят к большим потерям влаги. Для лучшего выравнивания поверхности почвы весной и сохранения влаги сплошную Культивация паров и зяби обычно сопровождают боронованием. Первую Культивация пара весной проводят на большую глубину (10—12 см); глубину последующих Культивация (летом) постепенно уменьшают (до 6—8 см).

О междурядной Культивация см. в ст. Междурядная обработка почвы.

 

  Лит.: Земледелие, под ред. С. А. Воробьева, 2 изд.. М., 1972.

  С. И. Савельев.