Параметрический полупроводниковый диод, полупроводниковый диод, относящийся к группе варакторных диодов, принцип действия которых основан на эффекте зависимости ёмкости р-n-перехода от приложенного к нему напряжения. В параметрических усилителях Параметрический полупроводниковый диод используют в качестве элемента с переменной ёмкостью, включаемого в колебательный контур усилителя (использование p-n-перехода с этой целью впервые предложено Б. М. Вулом в 1954); на Параметрический полупроводниковый диод подаётся постоянное обратное смещение (обычно — 0,3—2,0 в) и два переменных СВЧ (до нескольких сотен Ггц) сигнала — от генератора накачки и усиливаемый. Параметрический полупроводниковый диод отличаются низким уровнем собственных шумов, который зависит в основном от сопротивления полупроводникового материала и его температуры. Для повышения верхней границы полосы частот усиливаемых колебаний стремятся уменьшить ёмкость Параметрический полупроводниковый диод в рабочей точке C₀ и постоянную времени диода t_s = r_s • C₀, где r_s — суммарное сопротивление объёма Параметрический полупроводниковый диод, примыкающего к р-n-переходу, и контактов. Мощность колебаний накачки ограничивается допустимым значением обратного напряжения U_доп на диоде. Параметрический полупроводниковый диод изготавливают чаще всего из кремния, германия, арсенида галлия. Значения основных параметров Параметрический полупроводниковый диод, выпускаемых в СССР и за рубежом: C₀=0,01— 2 пф, t_s = 0,1—2 nceк, U_доп = 6—10 в и диапазон рабочих температур 4—350 К.

 

  Лит.: Физические основы работы полупроводниковых СВЧ диодов, М., 1965; СВЧ— полупроводниковые приборы и их применение, пер. с англ., М., 1972.

  И. Г. Васильев.