Рекомбинация электронов и дырок в полупроводниках, исчезновение пары электрон проводимости — дырка в результате перехода электрона из зоны проводимости в валентную зону. Избыток энергии может выделяться в виде излучения (излучательная Рекомбинация электронов и дырок в полупроводниках). Возможна также безызлучательная Рекомбинация электронов и дырок в полупроводниках, при которой энергия расходуется на возбуждение колебаний кристаллической решётки или передаётся свободным носителям тока при тройных столкновениях (ударная Рекомбинация электронов и дырок в полупроводниках). Рекомбинация электронов и дырок в полупроводниках может происходить как при непосредственном столкновении электронов и дырок, так и через примесные центры (центры Рекомбинация электронов и дырок в полупроводниках), когда электрон сначала захватывается из зоны проводимости на примесной уровень в запрещенной зоне, а затем уже переходит в валентную зону. Скорость Рекомбинация электронов и дырок в полупроводниках (число актов Рекомбинация электронов и дырок в полупроводниках в единицу времени) определяет концентрацию неравновесных носителей тока, создаваемых внешним воздействием (светом, быстрыми заряженными частицами и т. п.), а также время восстановления равновесной концентрации после выключения этого воздействия. Излучательная Рекомбинация электронов и дырок в полупроводниках проявляется в люминесценции кристаллов и лежит в основе действия лазеров и светоэлектрических диодов.

 

  Лит. см. при ст. Полупроводники.