Фототиристор,тиристор, перевод которого в состояние с высокой проводимостью осуществляется световым воздействием. При освещении Фототиристор в полупроводнике генерируются парные носители заряда (электроны и дырки), которые разделяются электрическим полем электронно-дырочных переходов (см. Фотоэдс). В результате через р – n-переходы начинают протекать токи (фототоки), играющие роль токов управления.

  Конструктивно Фототиристор представляет собой светочувствительный монокристалл с р–n–р–n-cтруктурой, обычно из кремния, расположенный на медном основании и закрытый герметичной крышкой с прозрачным для света окном. Наибольшее распространение получили конструкции с освещаемым n-эмиттером и с освещаемой р-базой.

  Пригодные для управления Фототиристор источники излучения – электрические лампы накаливания, импульсные газоразрядные лампы, светоизлучательные диоды, квантовые генераторы и др. Величина светового потока, необходимого для перевода Фототиристор в состояние с высокой проводимостью, характеризует чувствительность прибора; она определяется спектральным составом излучения, коэффициентом отражения и поглощения монокристалла, а также заданными значениями электрических параметров Фототиристор: напряжением переключения, скоростью нарастания прямого напряжения и т.д.

  Современные Фототиристор изготовляют на токи от нескольких ма до 500 а и напряжения от нескольких десятков в до 3 кв. Мощность управляющего светового излучения (при длине волны 0,9 мкм) порядка 1–10²мвт. Фототиристор находят применение в различных устройствах автоматического управления и защиты, а также в мощных высоковольтных преобразовательных устройствах,

  В. М. Курцин.