Затакт

Большая Советская Энциклопедия. Статьи для написания рефератов, курсовых работ, научные статьи, биографии, очерки, аннотации, описания.


А Б В Г Д Е Ё Ж З И Й К Л М Н О П Р С Т У Ф Х Ц Ч Ш Щ Ъ Ы Ь Э Ю Я 1 2 3 4 8 A L M P S T X
ЗА ЗБ ЗВ ЗГ ЗД ЗЕ ЗЁ ЗИ ЗЛ ЗМ ЗН ЗО ЗР ЗУ ЗЫ ЗЮ ЗЯ
ЗАА
ЗАБ
ЗАВ
ЗАГ
ЗАД
ЗАЕ
ЗАЁ
ЗАЖ
ЗАЗ
ЗАИ
ЗАЙ
ЗАК
ЗАЛ
ЗАМ
ЗАН
ЗАО
ЗАП
ЗАР
ЗАС
ЗАТ
ЗАУ
ЗАФ
ЗАХ
ЗАЦ
ЗАЧ
ЗАШ
ЗАЩ
ЗАЯ

Затакт (итал. anacrusi, франц. апасrouse, нем. Auftakt, англ. upbeat), начало музыкального произведения или какой-либо его части (построения) со слабого времени. В начале сочинения Затакт образует неполный такт (см. Метр). В простых размерах по длительности обычно не превышает половины такта.

 

 

Так же Вы можете узнать о...


Биолокация (от био... и лат. loco — помещаю, расставляю), способность животных определять положение какого-либо объекта по отношению к самому себе (направление, расстояние) или своё положение в пространстве (биоориентация).
Дакснер Штефан Марко Дакснер (Daxner) Штефан Марко (22.12.1823, Тисовец, — 11.
Кингстон (судостр.) Кингстон (от англ. kingston valve), забортный клапан, клапан на подводной части наружной обшивки судна.
Мерозоиты (от греч. meros — часть и zoon — живое существо), шизозоиты, одноклеточные одноядерные организмы, образующиеся в результате бесполого множественного размножения (см.
Поверхность удельная, усреднённая характеристика размеров внутренних полостей (каналов, пор) пористого тела или частиц раздробленной фазы дисперсной системы.
Сопротивление омическое, прежнее название предельного значения сопротивления активного при w® 0, где w — частота переменного тока.
Хит Эдуард Ричард Джордж Хит (Heath) Эдуард Ричард Джордж (р. 9.7.1916, Бродстэрс, гр.
Арно (река в Италии) Арно (Arno), река в Италии. Длина 248 км, площадь бассейна 8,5 тыс.
Гели природные минеральные, аморфные минералы, образовавшиеся в водной среде и содержащие воду в переменных количествах.
Ипполит Жан Ипполит (Hyppolite) Жан (8.1.1907, Жонзак, — 27.
Лихтенберга фигуры, картины распределения искровых каналов, стелющихся на поверхности твёрдого диэлектрика при т.