Полупроводники аморфные, вещества в твёрдом аморфном состоянии, обладающие свойствами полупроводников (см. Аморфное состояние). Полупроводники аморфные разделяют на 3 группы: ковалентные (аморфные Ge и Si, InSb, GaAs и др.), халькогенидные стекла (например, As₃₁Ge₃₀Se₂₁Te₁₈), оксидные стекла (например, V₂O₅ — P₂O₅) и диэлектрические плёнки (SiO_x, Al₂O₃, Si₃N₄ и др.).

  Энергетический спектр Полупроводники аморфные отличается от кристаллического П. наличием «хвостов» плотности электронных состояний, проникающих в запрещенную зону. По одной из теорий, Полупроводники аморфные следует рассматривать как сильно легированный и сильно компенсированный полупроводник, у которого «дно» зоны проводимости и «потолок» валентной зоны флуктуируют, причём это — крупномасштабные флуктуации порядка ширины запрещенной зоны. Электроны в зоне проводимости (и дырки в валентной зоне) разбиваются на систему «капель», расположенных в ямах потенциального рельефа и разделённых высокими барьерами. Электропроводность в Полупроводники аморфные при очень низких температурах осуществляется посредством подбарьерного туннелирования электронов между ямами аналогично прыжковой проводимости. При более высоких температурах электропроводность обусловлена тепловым «забросом» носителей на высокие энергетические уровни.

  Полупроводники аморфные имеют различные практического применения. Халькогенидные стекла благодаря прозрачности для инфракрасного излучения, высокому сопротивлению и высокой фоточувствительности применяются в передающих телевизионных трубках, а также для записи голограмм (см. Голография). Диэлектрические плёнки применяются также в структурах МДП (металл — диэлектрик — полупроводник).

  В системах металл — плёнка Полупроводники аморфные — металл при достаточно высоком напряжении (выше порогового) возможен быстрый (~10^-10 сек) переход (переключение) Полупроводники аморфные из высокоомного состояния в низкоомное. В частности, существует переключение с «памятью», когда высокопроводящее состояние сохраняется и после снятия напряжения (память «стирается» обычно сильным и коротким импульсом тока). Низкоомное состояние в системах с памятью связано с частичной кристаллизацией Полупроводники аморфные

 

  Лит.: Мотт Н., Дэвис Э., Электронные процессы в некристаллических веществах, пер. с англ., М., 1974.

  В. М. Любин, В. Б. Сандомирский.