Полупроводниковый детектор в ядерной физике, прибор для регистрации ионизирующих излучений, основным элементом которого является кристалл полупроводника. Полупроводниковый детектор работает подобно ионизационной камере с тем отличием, что ионизация происходит не в газовом промежутке, а в толще кристалла. Полупроводниковый детектор представляет собой полупроводниковый диод, на который подано обратное (запирающее) напряжение (~ 10² в). Слой полупроводника вблизи границы р—n-перехода (см. Электронно-дырочный переход) с объёмным зарядом «обеднён» носителями тока (электронами проводимости и дырками) и обладает высоким удельным электросопротивлением. Заряженная частица, проникая в него, создаёт дополнительные (неравновесные) электронно-дырочные пары, которые под действием электрического поля «рассасываются», перемещаясь к электродам Полупроводниковый детектор В результате во внешней цепи Полупроводниковый детектор возникает электрический импульс, который далее усиливается и регистрируется (см. рис.).

Полупроводниковые детекторы; штриховкой выделена чувствительная область; n — область полупроводника с электронной проводимостью, р — с дырочной, i — с собственной проводимостями; а — кремниевый поверхностно-барьерный детектор; б — дрейфовый германий-литиевый планарный детектор; в — германий-литиевый коаксиальный детектор.

  Заряд, собранный на электродах Полупроводниковый детектор, пропорционален энергии, выделенной частицей при прохождении через обеднённый (чувствительный) слой. Поэтому, если частица полностью тормозится в чувствительном слое, Полупроводниковый детектор может работать как спектрометр. Средняя энергия, необходимая для образования 1 электронно-дырочной пары в полупроводнике, мала (у Si 3,8 эв, у Ge ~ 2,9 эв). В сочетании с высокой плотностью вещества это позволяет получить спектрометр с высокой разрешающей способностью (~ 0,1% для энергии ~ 1 Мэв). Если частица полностью тормозится в чувствительном слое, то эффективность её регистрации ~ 100%. Большая подвижность носителей тока в Ge и Si позволяет собрать заряд за время ~10 нсек, что обеспечивает высокое временное разрешение Полупроводниковый детектор

  В первых Полупроводниковый детектор (1956—57) использовались поверхностно-барьерные (см. Шотки диод) или сплавные p—n-переходы в Ge. Эти Полупроводниковый детектор приходилось охлаждать для снижения уровня шумов (обусловленных обратным током), они имели малую глубину чувствительной области и не получили распространения. Практическое применение получили в 60-е гг. Полупроводниковый детектор в виде поверхностно-барьерного перехода в Si (рис., а). Глубина чувствительной области W в случае поверхностно-барьерного Полупроводниковый детектор определяется величиной запирающего напряжения V: W = 5,3×10^-5.

Здесь r — удельное сопротивление полупроводника в ом×см. Для поверхностно-барьерных переходов в Si c r = 10⁴ом×см при V = (1— 2)10²в, W = 1 мм. Эти Полупроводниковый детектор имеют малые шумы при комнатной температуре и применяются для регистрации короткопробежных частиц и для измерения удельных потерь энергии dEldx.

Для регистрации длиннопробежных частиц в 1970—71 были созданы Полупроводниковый детектор р—i—n-типа (рис., б). В кристалл Si р-типа вводится примесь Li. Ионы Li движутся в р-области перехода (под действием электрического поля) и, компенсируя акцепторы, создают широкую чувствительную i-область собственной проводимости, глубина которой определяется глубиной диффузии ионов Li и достигает 5 мм. Такие дрейфовые кремний-литиевые детекторы используются для регистрации протонов с энергией до 25 Мэв, дейтронов — до 20 Мэв, электронов — до 2 Мэв и др.

  Дальнейший шаг в развитии Полупроводниковый детектор был сделан возвращением к Ge, обладающему большим порядковым номером Z и, следовательно, большей эффективностью для регистрации гамма-излучения. Дрейфовые германий-литиевые плоские (планарные) Полупроводниковый детектор применяются для регистрации g-квантов с энергией в несколько сотен кэв. Для регистрации g-квантов с энергией до 10 Мэв используются коаксиальные германий-литиевые детекторы (рис., в) с чувствительным объёмом достигающим 100 см³. Эффективность регистрации g-квантов с энергией < 1 Мэв ~ десятков % и падает при энергиях >10 Мэв до 0,1—0,01%. Для частиц высоких энергий, пробег которых не укладывается в чувствительной области, Полупроводниковый детектор позволяют, помимо акта регистрации частицы, определить удельные потери энергии dEldx, а в некоторых приборах координату х частицы (позиционно-чувствительные Полупроводниковый детектор).

  Недостатки Полупроводниковый детектор: малая эффективность при регистрации g-квантов больших энергии; ухудшение разрешающей способности при загрузках > 10⁴ частиц в сек; конечное время жизни Полупроводниковый детектор при высоких дозах облучения из-за накопления радиационных дефектов (см. Радиационные дефекты в кристаллах). Малость размеров доступных монокристаллов (диаметр ~ 3 см, объём ~ 100 см³) ограничивает применение Полупроводниковый детектор в ряде областей.

  Дальнейшее развитие Полупроводниковый детектор связано с получением «сверхчистых» полупроводниковых монокристаллов больших размеров и с возможностью использования GaAs, SiC, CdTe (см. Полупроводниковые материалы). Полупроводниковый детектор широко применяются в ядерной физике, физике элементарных частиц, а также в химии, геологии, медицине и в промышленности.

 

  Лит.: Полупроводниковые детекторы ядерных частиц и их применение, М., 1967; Дирнли Дж., Нортроп Д., Полупроводниковые счетчики ядерных излучений, пер. с англ., М., 1966; Полупроводниковые детекторы ядерного излучения, в сборнике: Полупроводниковые приборы и их применение, в. 25, М., 1971 (Авт.: Рывкин С. М., Матвеев О. А., Новиков С. Р., Строкан Н. Б.).

  А. Г. Беда. В. С. Кафтанов.